[发明专利]包括有源区柱的三维NOR阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：

位于衬底上方并通过线沟槽彼此横向间隔开的绝缘条带和导电条带的竖直交替堆叠；

位于所述线沟槽中相应一者内的半导体区域组件和介电柱结构的横向交替序列；以及

位于每对相邻的所述竖直交替堆叠和所述横向交替序列之间的存储器膜，

其中所述半导体区域组件中的每一者包括：

延伸穿过所述导电条带的每个层级的相应第一有源区柱结构；

延伸穿过所述导电条带的每个层级并且与所述相应第一有源区柱结构横向地间隔开的相应第二有源区柱结构，所述相应第一有源区柱结构和所述相应第二有源区柱结构中的一者是源极柱结构，并且所述相应第一有源区柱结构和所述相应第二有源区柱结构中的另一者是漏极柱结构；以及

相应沟道结构，所述相应沟道结构包括一对横向地连接所述相应第一有源区柱结构和所述相应第二有源区柱结构的横向半导体沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述横向半导体沟道中的每一者竖直地连续延伸穿过所述竖直交替堆叠内所述导电条带的每个层级。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述线沟槽和所述横向半导体沟道中的每一者沿第一水平方向横向延伸；以及

所述沟道结构中的每一者还包括一对沿第二水平方向横向延伸的横向竖直沟道板，并且接触所述第一有源区柱结构和所述第二有源区柱结构中的相应一者。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述沟道结构中的每一者还包括位于包括所述竖直交替堆叠的最底部导电条带的底部表面的水平平面下方的相应水平沟道板。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述沟道结构中的每一者横向环绕并包封相应介电芯，所述介电芯具有一对平行于所述线沟槽的纵向方向的竖直侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一访问线，所述第一访问线彼此平行并且位于所述横向交替序列下面；和

第一连接通孔结构，所述第一连接通孔结构接触所述第一访问线中的相应一者和所述第一有源区柱结构中的相应一者。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：

第二访问线，所述第二访问线彼此平行并且覆盖在所述竖直交替堆叠和所述横向交替序列上面；和

第二连接通孔结构，所述第二连接通孔结构接触所述第二访问线中的相应一者和所述第二有源区柱结构中的相应一者。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述线沟槽沿第一水平方向横向延伸；

所述第一访问线沿水平且平行于所述第一水平方向的第一纵向方向延伸；以及

所述第二访问线沿水平且垂直于所述第一纵向方向的第二纵向方向延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中每个线沟槽内的至少一个介电柱结构横向接触相应第一有源区柱结构和相应第二有源区柱结构。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器膜中的每一者包括相应层堆叠，所述相应层堆叠从一侧到另一侧包括阻挡介电层、电荷存储层和隧穿介电层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器膜中的每一者包括铁电材料层。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器膜中的每一者接触位于所述线沟槽中相应一者内的半导体区域组件和介电柱结构的横向交替序列中的多个沟道结构。

13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器膜中的每一者接触位于所述线沟槽中相应一者内的半导体区域组件和介电柱结构的横向交替序列内的仅单个沟道结构。