[发明专利]金属材料及连接端子在审

专利信息
申请号: 202080008901.9 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113286918A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 佐藤干朗;坂喜文;水谷亮太;加藤晓博 申请(专利权)人: 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: C23C30/00 分类号: C23C30/00;H01R13/03;C25D7/00;B32B15/01;C25D5/50
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 洪磊
地址: 日本国三重县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 金属材料 连接 端子
【权利要求书】:

1.一种金属材料,具有:

基底材料;和

表面层,形成于所述基底材料上,

所述表面层含有Au和In,至少In存在于最表面。

2.根据权利要求1所述的金属材料,其中,在所述表面层及所述基底材料的至少一方含有In以外的、比Au容易受到氧化的易氧化性金属,

在将所述金属材料以170℃加热时,最表面中的所述易氧化性金属的浓度的增加低于基于俄歇电子光谱的检测界限。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的金属材料,其中,在所述表面层中,In的至少一部分构成Au-In合金。

4.根据权利要求3所述的金属材料,其中,所述Au-In合金的至少一部分成为In固溶于Au的固溶体。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的金属材料,其中,在所述表面层中,Au和In双方存在于最表面。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层包括以Au为主要成分的Au部、和含有浓度高于所述Au部的In的高浓度In部。

7.根据权利要求6所述的金属材料,其中,在所述表面层中,所述高浓度In部形成于所述Au部的表面上,在最表面露出。

8.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层采用整体上构成为含有Au-In合金的单一层的单层结构。

9.根据权利要求1至权利要求8中的任一项所述的金属材料,其中,在所述表面层中,在从最表面到至少深度0.01μm的区域分布有In。

10.根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的金属材料,其中,在所述表面层中,在从最表面到至少深度0.05μm的区域分布有In。

11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的金属材料,其中,所述基底材料具有形成于基材上的中间层,

所述中间层含有Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu中的至少任一种。

12.根据权利要求1至权利要求11中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层含有Co。

13.根据权利要求1至权利要求12中的任一项所述的金属材料,其中,在所述表面层中,Au及In以外的添加元素的含量为5%以下。

14.根据权利要求1至权利要求13中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层整体上的In的含量按相对于Au的原子数比计算为10%以上。

15.根据权利要求1至权利要求14中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层整体上的In的含量按原子数计算为比Au少的量。

16.根据权利要求1至权利要求15中的任一项所述的金属材料,其中,所述表面层的厚度为0.1μm以上。

17.一种连接端子,由权利要求1至权利要求16中的任一项所述的金属材料构成,所述表面层至少在与对方导电构件电接触的触点部形成于所述基底材料的表面上。

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