[发明专利]打线接合装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，是利用导线将第一接合点与第二接合点之间连接的半导体装置的制造方法，且其特征在于包括：

准备工序，准备打线接合装置，所述打线接合装置包括供所述导线插通的瓷嘴、及使所述瓷嘴移动的移动机构；

球形接合工序，在插通于所述瓷嘴的所述导线的前端形成无空气球后，使所述瓷嘴的前端下降至压接高度，将所述无空气球与所述第一接合点接合而形成压接球与所述压接球上侧的球颈；

薄壁部形成工序，使所述瓷嘴的前端在水平方向上移动，在所述球颈与所述压接球之间形成减小了剖面面积的薄壁部；

导线尾端分离工序，使所述瓷嘴上升而抽出导线尾端后，使所述瓷嘴向所述第二接合点的方向移动，在所述薄壁部将所述导线尾端与所述压接球分离；以及

导线尾端接合工序，使所述瓷嘴下降而将已分离的所述导线尾端的侧面接合在所述压接球上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

导线尾端弯曲工序，在形成所述薄壁部之后，使所述瓷嘴向所述第二接合点的方向呈圆弧状地往复移动而使所述导线弯曲变形。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述薄壁部形成工序中，使所述瓷嘴上升到比所述压接高度高的剪切高度并使所述瓷嘴在水平方向上移动。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述薄壁部形成工序中，在形成所述薄壁部时使所述瓷嘴在水平方向上往复动作。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述导线尾端分离工序中，当在所述薄壁部将所述导线尾端从所述压接球分离时，

使所述瓷嘴朝向所述第二接合点的方向而向斜上方移动。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述导线尾端接合工序中，当将所述导线尾端的侧面接合在所述压接球上时，使所述瓷嘴的所述第一接合点侧的面部移动到所述压接球的与所述第二接合点相反一侧的端部上方之后，使所述瓷嘴下降，利用所述瓷嘴的所述面部将已弯曲变形的所述导线尾端的侧面接合在所述压接球的与所述第二接合点相反一侧的所述端部上。

7.一种打线接合装置，利用导线将第一接合点与第二接合点之间连接，且所述打线接合装置的特征在于包括：

瓷嘴，供所述导线插通；

移动机构，使所述瓷嘴移动；以及

控制部，控制所述移动机构的驱动，且

所述控制部是

在插通于所述瓷嘴的所述导线的前端形成无空气球后，使所述瓷嘴的前端下降到压接高度，将所述无空气球与所述第一接合点接合而形成压接球与所述压接球上侧的球颈，

使所述瓷嘴的前端在水平方向上移动，在所述球颈与所述压接球之间形成减小了剖面面积的薄壁部，

在使所述瓷嘴上升而抽出导线尾端后，使所述瓷嘴向所述第二接合点的方向移动，在所述薄壁部将所述导线尾端与所述压接球分离，

使所述瓷嘴下降而将已分离的所述导线尾端的侧面接合在所述压接球上。

8.根据权利要求7所述的打线接合装置，其特征在于，

所述控制部是

在形成所述球颈后，使所述瓷嘴上升到比所述压接高度高的剪切高度，使所述瓷嘴在水平方向上往复移动而形成所述薄壁部，

在形成所述薄壁部之后，使所述瓷嘴向所述第二接合点的方向呈圆弧状地往复移动而使所述导线弯曲变形，

在所述薄壁部将所述导线尾端从所述压接球分离时，使所述瓷嘴朝向所述第二接合点的方向向斜上方移动，

当将所述导线尾端的侧面接合在所述压接球上时，使所述瓷嘴的所述第一接合点侧的面部移动到所述压接球的与所述第二接合点相反一侧的端部上方之后，使所述瓷嘴下降而利用所述瓷嘴的所述面部将弯曲变形的所述导线尾端的侧面接合在所述压接球的与所述第二接合点相反一侧的所述端部上。