[发明专利]打线接合装置及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，利用导线将第一接合点与第二接合点之间连接，且所述半导体装置的制造方法包括：利用球形接合在第一接合点形成压接球与球颈的球形接合工序；在球颈与压接球之间形成减小了剖面面积的薄壁部的薄壁部形成工序；使瓷嘴上升而抽出导线尾端后，使瓷嘴向第二接合点的方向移动，在薄壁部分离导线尾端与压接球的导线尾端分离工序；以及使瓷嘴下降并将已分离的导线尾端的侧面接合在压接球上的导线尾端接合工序。

技术领域

本发明涉及一种打线接合装置的结构及使用此打线接合装置的半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，要求半导体芯片的薄型化。为了满足此要求，需要将利用打线接合形成的环形导线的高度抑制得低。因此，一直以来，提出了很多抑制环高度的低环技术。

例如，提出一种在进行球形接合(ball bonding)后，使瓷嘴(capillary)上升而使导线尾端延伸出后，使瓷嘴上升而切断导线尾端，将切断的导线尾端接合在压接球上，由此将环高度抑制得低的接合方法(例如，参照专利文献1)。

另外，提出一种方法，在第一接合点进行球形接合后，使瓷嘴水平移动来削去压接球上的球颈，然后使瓷嘴上升而使导线尾端延伸出，将延伸出的导线尾端的侧面多次按压在压接球上之后，使瓷嘴朝向第二接合点移动，由此抑制环高度(例如，参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4860128号公报

专利文献2：日本专利特开2019-176111号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，即使如专利文献1中记载的现有技术那样使瓷嘴向正上方上升来进行导线尾端的延出、切断，导线尾端也不位于瓷嘴的面部的下侧，因此难以利用瓷嘴将导线尾端接合在压接球上，因此，存在实现性的问题。

另外，在专利文献2的方法中，按压部分的导线尾端的剖面面积变小，存在导线的环形状受到限制的情况。

因此，本发明的目的在于提供一种能够形成环形状的自由度大的低环形导线的打线接合装置。

解决问题的技术手段

本发明的半导体装置的制造方法是利用导线将第一接合点与第二接合点之间连接的半导体装置的制造方法，其特征在于包括：准备工序，准备打线接合装置，所述打线接合装置包括供导线插通的瓷嘴、及使瓷嘴移动的移动机构；球形接合工序，在插通于瓷嘴的导线的前端形成无空气球后，使瓷嘴的前端下降至压接高度，将无空气球与第一接合点接合而形成压接球与压接球的上侧的球颈；薄壁部形成工序，使瓷嘴的前端在水平方向上移动，在球颈与压接球之间形成减小了剖面面积的薄壁部；导线尾端分离工序，使瓷嘴上升而抽出导线尾端后，使瓷嘴向第二接合点的方向移动，在薄壁部将导线尾端与压接球分离；以及导线尾端接合工序，使瓷嘴下降而将分离的导线尾端的侧面接合在压接球上。

由于通过薄壁部形成工序形成减小了球颈与压接球的连接部分的剖面面积的薄壁部之后将导线尾端从压接球分离，因此可以小的拉伸荷重将导线尾端从压接球分离。另外，由于使瓷嘴向第二接合点的方向移动，在薄壁部将导线尾端与压接球分离，因此切断的导线尾端进入瓷嘴的第一接合点侧下方。因此，可将导线尾端的侧面接合在压接球上，使导线延伸的方向成为水平方向而可降低环高度。

在本发明的半导体装置的制造方法中，也可包括在形成薄壁部之后，使瓷嘴向第二接合点的方向呈圆弧状地往复移动而使导线弯曲变形的导线尾端弯曲工序。

如此，由于使导线弯曲变形，因此在将导线尾端从压接球分离时，可保持导线尾端进入瓷嘴的第一接合点侧的下方的状态，可确实地将导线尾端的侧面接和在压接球上，而可降低环高度。