[发明专利]摄像装置及电子设备在审
申请号: | 202080009925.6 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113330555A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/369 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,包括:
第一层;
第二层;以及
第三层,
其中,所述第二层设置于所述第一层与所述第三层之间,
所述第一层包括光电转换器件,
所述第二层包括第一电路及第二电路,
所述第三层包括第三电路及第四电路,
所述第一电路及所述光电转换器件具有生成摄像数据的功能,
所述第三电路具有读出所述摄像数据的功能,
所述第二电路具有储存由所述第三电路读出的所述摄像数据的功能,
所述第四电路具有读出储存于所述第二电路的所述摄像数据的功能,
并且,所述第一电路及所述第二电路包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中所述第一电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器,
所述光电转换器件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接,
所述第一电容器的一个电极与所述第三晶体管的栅极电连接,
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
并且所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三电路电连接。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,
其中所述第二电路包括第五晶体管及第二电容器,
所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接,
所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三电路电连接,
并且所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四电路电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,
其中所述第三电路包括A/D转换器,
并且所述第四电路包括读出放大器。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,
其中所述第一层及所述第三层包含单晶硅。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,
其中所述金属氧化物包含In、Zn、M(M为Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
7.一种包括权利要求1至6中任一项所述的摄像装置以及显示部的电子设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造