[发明专利]摄像装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 202080009925.6 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN113330555A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 山崎舜平;池田隆之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/369
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 摄像 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种摄像装置,包括:

第一层;

第二层;以及

第三层,

其中,所述第二层设置于所述第一层与所述第三层之间,

所述第一层包括光电转换器件,

所述第二层包括第一电路及第二电路,

所述第三层包括第三电路及第四电路,

所述第一电路及所述光电转换器件具有生成摄像数据的功能,

所述第三电路具有读出所述摄像数据的功能,

所述第二电路具有储存由所述第三电路读出的所述摄像数据的功能,

所述第四电路具有读出储存于所述第二电路的所述摄像数据的功能,

并且,所述第一电路及所述第二电路包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管。

2.根据权利要求1所述的摄像装置,

其中所述第一电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器,

所述光电转换器件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接,

所述第一电容器的一个电极与所述第三晶体管的栅极电连接,

所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

并且所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三电路电连接。

3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,

其中所述第二电路包括第五晶体管及第二电容器,

所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接,

所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三电路电连接,

并且所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四电路电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,

其中所述第三电路包括A/D转换器,

并且所述第四电路包括读出放大器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,

其中所述第一层及所述第三层包含单晶硅。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,

其中所述金属氧化物包含In、Zn、M(M为Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。

7.一种包括权利要求1至6中任一项所述的摄像装置以及显示部的电子设备。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080009925.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top