[发明专利]摄像装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 202080009925.6 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN113330555A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 山崎舜平;池田隆之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/369
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 装置 电子设备
【说明书】:

提供一种具有存储功能的摄像装置或者适合于动态摄像的摄像装置。该摄像装置包括第一层、第二层及第三层,第二层设置于第一层与第三层之间,第一层包括光电转换器件,第二层包括第一电路及第二电路,第三层包括第三电路及第四电路,第一电路及光电转换器件具有生成摄像数据的功能,第三电路具有读出摄像数据的功能,第二电路具有储存由第三电路读出的摄像数据的功能,第四电路具有读出储存于第二电路中的摄像数据的功能,第一电路及第二电路包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管。

(技术领域)

本发明的一个方式涉及一种摄像装置。

注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本发明的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此,更具体而言,作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子,可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。

注意,在本说明书等中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外,存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包括半导体装置。

背景技术

使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如,专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流极低的晶体管用于像素电路的结构的摄像装置。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2011-119711号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

摄像装置用于各种用途,摄像工作的高速化、高功能化被期待。例如,为了进行高速连续摄像、摄像数据分析等,优选按每1帧能够保持数据。

本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有存储功能的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种适合于动态摄像的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种上述摄像装置的工作方法。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置等。

注意,这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意,本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。

解决技术问题的手段

本发明的一个方式涉及一种具有存储功能的摄像装置。

本发明的一个方式是一种摄像装置,包括:第一层;第二层;以及第三层,其中,第二层设置于第一层与第三层之间,第一层包括光电转换器件,第二层包括第一电路及第二电路,第三层包括第三电路及第四电路,第一电路及光电转换器件具有生成摄像数据的功能,第三电路具有读出摄像数据的功能,第二电路具有储存由第三电路读出的摄像数据的功能,第四电路具有读出储存于第二电路的摄像数据的功能,并且,第一电路及第二电路包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管。

第一电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器,光电转换器件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,第二晶体管的源极和漏极中的一个与第一电容器的一个电极电连接,第一电容器的一个电极与第三晶体管的栅极电连接,第三晶体管的源极和漏极中的一个与第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,并且第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第三电路电连接。

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