[发明专利]具有超宽带性能的多层陶瓷电容器有效
申请号: | 202080010338.9 | 申请日: | 2020-01-24 |
公开(公告)号: | CN113330526B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 玛丽安·贝罗里尼;杰弗里·A·霍恩;理查德·C·凡纳斯汀 | 申请(专利权)人: | 京瓷AVX元器件公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G2/22;H01G4/012;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/255 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 宽带 性能 多层 陶瓷 电容器 | ||
1.一种宽带多层陶瓷电容器,所述宽带多层陶瓷电容器具有第一端和第二端,所述第二端在与横向方向垂直的纵向方向上与所述第一端间隔开,所述横向方向和所述纵向方向均垂直于Z方向,并且其中所述电容器包括顶部表面和在所述Z方向上与所述顶部表面相反的底部表面,所述宽带多层陶瓷电容器包括:
单片主体,所述单片主体包括在所述Z方向上堆叠的多个介电层;
第一外部端子,所述第一外部端子沿着所述第一端设置;
第二外部端子,所述第二外部端子沿着所述第二端设置;
多个有源电极,所述多个有源电极布置在所述单片主体内;
顶部屏蔽电极,所述顶部屏蔽电极布置在所述单片主体内且定位在所述电容器的所述多个有源电极与所述顶部表面之间,所述顶部屏蔽电极与所述电容器的所述顶部表面以顶部屏蔽至顶部的距离间隔开;
底部屏蔽电极,所述底部屏蔽电极布置在所述单片主体内且定位在所述电容器的所述多个有源电极与所述底部表面之间,所述底部屏蔽电极与所述电容器的所述底部表面以底部屏蔽至底部的距离间隔开;
其中:
所述顶部屏蔽至顶部的距离与所述底部屏蔽至底部的距离的比率在约0.8与约1.2之间;所述底部屏蔽至底部的距离的范围从约8微米至约100微米;所述底部屏蔽电极与所述第一外部端子连接;
所述底部屏蔽电极具有第一纵向边缘,所述第一纵向边缘与所述横向方向对齐并且背离所述第一外部端子;
所述底部屏蔽电极具有第二纵向边缘,所述第二纵向边缘与所述横向方向对齐并且背离所述第一外部端子;以及
所述第二纵向边缘在所述纵向方向上从所述第一纵向边缘以屏蔽电极偏移距离偏移。
2.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器,其中,所述电容器在所述Z方向上在顶部表面与底部表面之间具有电容器厚度,并且其中,所述电容器厚度与所述底部屏蔽至底部的距离的比率大于约3。
3.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器,其中:
所述电容器包括多个电极区域,所述多个电极区域包括有源电极区域、顶部屏蔽电极区域和底部屏蔽电极区域;
所述多个有源电极位于所述有源电极区域内;
所述顶部屏蔽电极位于所述顶部屏蔽电极区域内;以及
所述底部屏蔽电极位于所述底部屏蔽电极区域内。
4.根据权利要求3所述的宽带多层陶瓷电容器,其中,所述顶部屏蔽电极区域在所述Z方向上的厚度与所述底部屏蔽电极区域在所述Z方向上的厚度的比率的范围从约0.8至约1.2。
5.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器,所述宽带多层陶瓷电容器还包括在所述Z方向上与所述底部屏蔽电极大致对齐的附加底部屏蔽电极,并且其中,所述底部屏蔽电极与所述第一外部端子连接,并且所述附加底部屏蔽电极与所述第二外部端子连接。
6.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器,所述宽带多层陶瓷电容器还包括附加底部屏蔽电极,所述附加底部屏蔽电极与所述第二外部端子连接、并且在所述Z方向上与所述底部屏蔽电极大致对齐,并且其中:
所述附加底部屏蔽电极具有与所述横向方向对齐并且背离所述第二外部端子的第一纵向边缘;
所述附加底部屏蔽电极具有与所述横向方向对齐并且背离所述第二外部端子的第二纵向边缘;以及
所述第二纵向边缘在所述纵向方向上从所述第一纵向边缘以大致所述屏蔽电极偏移距离偏移。
7.根据权利要求6所述的宽带多层陶瓷电容器,其中,在所述纵向方向上、在所述底部屏蔽电极的所述第一纵向边缘与所述附加底部屏蔽电极的所述第一纵向边缘之间形成第一屏蔽间隙距离。
8.根据权利要求7所述的宽带多层陶瓷电容器,其中,所述电容器在所述纵向方向上、在所述电容器的所述第一端与所述第二端之间具有电容器长度,并且其中,所述电容器长度与所述第一屏蔽间隙距离的比率大于约2。
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