[发明专利]具有超宽带性能的多层陶瓷电容器

说明书

一种宽带多层陶瓷电容器可以包括包含在Z方向上堆叠的多个介电层的单片主体、第一外部端子和第二外部端子。多个有源电极、底部屏蔽电极和顶部屏蔽电极可以布置在单片主体内。顶部屏蔽电极可以定位在电容器的有源电极与顶部表面之间，且与电容器的顶部表面以顶部屏蔽至顶部的距离间隔开。底部屏蔽电极可以定位在电容器的有源电极与底部表面之间，且与电容器的底部表面以底部屏蔽至底部的距离间隔开。顶部屏蔽至顶部的距离与底部屏蔽至底部的距离的比率可以在约0.8与约1.2之间。底部屏蔽至底部的距离的范围可以从约8微米至约100微米。

相关申请的交叉引用

本申请要求申请日为2019年1月28日的美国临时专利申请序列号62/797,532的申请权益，该美国临时专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。

背景技术

现代技术应用的多样性产生了对用于其中的高效电子组件和集成电路的需求。电容器是用于滤波、耦合、旁通和此类现代应用的其他方面的基本组件，这些现代应用可以包括无线通信、警报系统、雷达系统、电路切换、匹配网络和许多其他应用。集成电路的速度和组装密度的急剧增加尤其需要耦合电容器技术的进步。当高电容耦合电容器经受到许多当前应用的高频率时，性能特性变得越来越重要。因为电容器对于如此广泛的应用至关重要，因此，电容器的精度和效率极其重要。因此，电容器设计的许多具体方面已经成为改善其性能特性的焦点。

发明内容

根据本发明的一实施方式，宽带多层陶瓷电容器可以具有第一端和第二端，该第二端在垂直于横向方向的纵向方向上与第一端间隔开。横向方向和纵向方向均可以垂直于Z方向。电容器可以包括顶部表面和在Z方向上与顶部表面相反的底部表面。宽带多层陶瓷电容器可以包括单片主体，该单片主体包括在Z方向上堆叠的多个介电层。宽带多层陶瓷电容器可以包括沿着第一端设置的第一外部端子、和沿着第二端设置的第二外部端子。宽带多层陶瓷电容器可以包括布置在单片主体内的多个有源电极。宽带多层陶瓷电容器可以包括顶部屏蔽电极，该顶部屏蔽电极布置在单片主体内且定位在电容器的多个有源电极与顶部表面之间。顶部屏蔽电极可以与电容器的顶部表面以顶部屏蔽至顶部的距离(top-shield-to-top distance)间隔开。宽带多层陶瓷电容器可以包括底部屏蔽电极，该底部屏蔽电极布置在单片主体内且定位在电容器的多个有源电极与底部表面之间。底部屏蔽电极可以与电容器的底部表面以底部屏蔽至底部的距离(bottom-shield-to-bottomdistance)间隔开。顶部屏蔽至顶部的距离与底部屏蔽至底部的距离的比率可以在约0.8与约1.2之间。底部屏蔽至底部的距离的范围可以从约8微米至约100微米。

根据本发明的另一实施方式，公开了一种形成宽带多层陶瓷电容器的方法。宽带多层陶瓷电容器可以具有第一端和第二端，该第二端在垂直于横向方向的纵向方向上与第一端间隔开。横向方向和纵向方向均可以垂直于Z方向。电容器可以具有顶部表面和在Z方向上与顶部表面相反的底部表面。该方法可以包括：在多个有源电极层上形成多个有源电极；在顶部屏蔽电极层上形成顶部屏蔽电极；在底部屏蔽电极层上形成底部屏蔽电极；将多个有源电极层、顶部屏蔽电极层和底部屏蔽电极层与多个介电层堆叠以形成单片主体；在单片主体的第一端上形成第一外部端子；以及在单片主体的第二端上形成第二外部端子。顶部屏蔽电极层可以布置在单片主体内且定位在电容器的多个有源电极层与顶部表面之间。顶部屏蔽电极可以与电容器的顶部表面以顶部屏蔽至顶部的距离间隔开。底部屏蔽电极层可以布置在单片主体内且定位在电容器的多个有源电极与底部表面之间。底部屏蔽电极可以与电容器的底部表面以顶部屏蔽至底部的距离间隔开。顶部屏蔽至顶部的距离与底部屏蔽至底部的距离的比率可以在约0.8与约1.2之间。底部屏蔽至底部的距离的范围可以从约8微米至约100微米。

附图说明

在说明书的其余部分中(包括参考附图)，更具体地阐述了本发明的完整而可行的公开(包括其对于本领域普通技术人员来说的最佳模式)，在附图中：

图1A示出了根据本公开的方面的有源电极层的一个实施方式的俯视图；