[发明专利]透气性覆板和使用其的方法在审
申请号: | 202080012116.0 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN113396468A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | J·P·德扬;刘卫军;万芬 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B29C59/02;B29C33/38;B29C33/42 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透气性 使用 方法 | ||
公开了一种透气性覆板和使用该覆板的方法。覆板可包括主体和所述主体上的无定形含氟聚合物层。平坦化方法可以包括将平坦化前体材料分配在基板上并且使所述平坦化前体材料与覆板的主体接触。在一个实施方式中,基板包括不均匀的表面形貌。该方法还可以包括固化所述平坦化前体材料以在基板上方形成平坦化层,其中可以在使所述覆板接触所述平坦化前体材料的同时进行固化。
技术领域
本公开涉及基板处理,更具体地涉及半导体制造中的表面平坦化。
背景技术
平坦化技术可用于在半导体晶片上制造电子器件。这种技术可以包括使用流体分配系统将可成形材料沉积到晶片上。在分配的材料在晶片上固化之前,覆板(Superstrate)对分配的材料进行平坦化和/或图案化。
然而,当覆板与基板上的分配材料分离时,可能会出现缺陷。期望平坦化技术的改进以允许整个晶片处理。
发明内容
在一个方面,覆板能够包括具有接触表面的主体和在所述主体的接触表面上的无定形含氟聚合物层。所述无定形含氟聚合物层能够透过原子质量大于4的气体。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物能够包括二氧戊烷环。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物能够包括全氟间二氧杂环戊烯四氟乙烯共聚物。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物能够包括全氟(3-丁烯基乙烯基醚)的共聚物。
在又一方面,所述主体能够包括所述接触表面和所述无定形含氟聚合物层之间的烃聚合物层。
在另一方面,所述烃聚合物层能够包括聚三甲基甲硅烷基丙炔、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯聚合物、聚酰亚胺、以及它们的任何组合。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物层能够具有至少20mN/m且不超过40mN/m的临界表面张力。
在又一方面,该无定形含氟聚合物层能够包括–(CXY—CF2-)a—(-Z-)b-,其中X和Y能够包括F、Cl或H;并且Z能够包含含有至少一个C-O-C键的四(4)、五(5)或六(6)元碳氟化合物环结构。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物层可渗透氮、氧和氩。
在又一方面,所述无定形含氟聚合物层包括大于1.0×10-10cm3*cm/cm2*S*cmHg的氧渗透系数。
在另一方面,公开了一种平坦化方法。该方法能够包括:在基板上分配平坦化前体材料,其中所述基板包括不均匀的表面形貌;和使所述平坦化前体材料与覆板接触。所述覆板能够进一步包括:具有接触表面的主体;和在主体的接触表面上的无定形含氟聚合物层。所述无定形含氟聚合物层能够渗透原子质量大于4的气体。所述方法能够还包括固化所述平坦化前体材料以在基板上方形成平坦化层,其中可在使覆板接触所述平坦化前体材料的同时进行固化。
在另一方面,所述方法能够包括在使所述平坦化前体材料与所述覆板的主体接触之前使非活性气体流动。
在另一方面,所述非活性气体包括氧气、氮气、氩气或其任何组合。
在另一方面,所述非活性气体不包括氦。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物包含二氧戊烷环。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物包括全氟间二氧杂环戊烯四氟乙烯共聚物。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物是全氟(3-丁烯基乙烯基醚)的聚合物或共聚物。
在另一方面,所述无定形含氟聚合物层可渗透氮、氧和氩,或者它们的任何组合。
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