[发明专利]银合金溅射靶以及银合金膜

说明书

特征在于：含有超过1.0原子％且5.0原子％以下的范围内的镁和超过0.10原子％且2.00原子％以下的范围内的钯，剩余部分由银与不可避免的杂质构成。也可以进一步含有0.10原子％以上的金，并且金与钯的总含量在5.00原子％以下。也可以进一步含有0.01原子％以上且0.15原子％以下的范围内的钙。而且，含氧量也可以为0.010质量％以下。

技术领域

本发明涉及在进行银合金膜的成膜时使用的银合金溅射靶以及银合金膜，该银合金膜可以适用于例如显示器或触控面板用的透明导电膜及光学功能性膜的金属薄膜等。

本申请主张基于2019年2月6日于日本申请的特愿2019-020064号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

例如，在液晶显示器或有机EL显示器、触控面板等中，作为构成配线及电极的透明导电膜，例如专利文献1～3所示，适用层叠膜，该层叠膜为透明导电氧化物膜与由银或银合金构成的银膜的层叠构造。对于该层叠膜，要求可见光区域的光的透过率高，而且电阻低。

并且，在玻璃基板等进行由银或银合金构成的银膜的成膜的情况下，例如专利文献4所公开那样，广泛利用使用了由银或银合金构成的溅射靶的溅射法。

专利文献1：日本特开2006-028641号公报

专利文献2：日本特开平09-291356号公报

专利文献3：日本特开平10-239697号公报

专利文献4：日本特开2016-040411号公报

然而，在上述的层叠膜或银膜中，膜表面或膜端面会附着颗粒、指纹以及汗渍等，因在它们中所含的氯(Cl)使银膜腐蚀，从而可能导致外观不良。并且，因银膜腐蚀而会产生导电不良，从而可能导致无法作为配线或电极发挥功能。即使是在银膜上形成有透明导电氧化物膜的层叠膜，也仍有因氯(Cl)穿过透明导电氧化物膜而导致银膜腐蚀的可能。

发明内容

本发明是鉴于前述情形而完成的，其目的在于提供可抑制因氯(Cl)导致的腐蚀且可实现耐环境性优异的银合金膜的成膜的银合金溅射靶以及银合金膜。

为了解决上述课题，本发明的实施方式的银合金溅射靶的特征在于，含有超过1.0原子％且5.0原子％以下的范围内的镁和超过0.10原子％且2.00原子％以下的范围内的钯，剩余部分由银与不可避免的杂质构成。

在该构成的银合金溅射靶中，含有超过1.0原子％的氯化物生成自由能比银更低的镁，所以与氯(Cl)接触时，镁会优先生成氯化物。并且，含有超过0.10原子％的钯，通过该钯固溶于银，抑制银与氯(Cl)的反应。因此可以抑制成膜的银合金膜因氯(Cl)而腐蚀。

并且，含镁量被限制在5.0原子％以下，因此可以抑制成膜的银合金膜的电阻值变高，从而可以确保导电性。

而且，含钯量被限制在2.00原子％以下，因此可以抑制成膜的银合金膜的光学特性劣化，从而可以确保光的透射性。

在本发明的实施方式的银合金溅射靶中，还可以进一步含有0.10原子％以上的金，并且金与钯的总含量在5.00原子％以下。

此时，进一步含有0.10原子％以上的金，通过该金与钯一起固溶于银，可以进一步抑制银与氯(Cl)的反应，从而可以进一步抑制成膜的银合金膜因氯(Cl)而腐蚀。

并且，含钯量被限制在2.00原子％以下，并且金与钯的总含量被限制在5.00原子％以下，因此可以抑制成膜的银合金膜的光学特性劣化，从而可以确保光的透射性。

在本发明的实施方式的银合金溅射靶中，还可以进一步含有0.01原子％以上且0.15原子％以下的范围内的钙。