[发明专利]薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统在审
申请号: | 202080013066.8 | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN113366142A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 斋笃;松本浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社高纯度化学研究所 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/34;C23C16/40;C25F3/16;H01L21/205;H01L21/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;司昆明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 形成 金属 卤化物 固体 气化 供给 系统 | ||
1.一种固体气化供给系统,是具备蒸发原料用容器和缓冲罐的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统,前述蒸发原料用容器用于将作为蒸发原料的薄膜形成用金属卤化物存积且使其蒸发,前述缓冲罐与前述蒸发原料用容器连接,其特征在于,
前述蒸发原料用容器具备容器主体、盖体、紧固部件、接头部件,
前述容器主体具有容器壁,
前述盖体构成为相对于前述容器主体装卸自如,具有向前述容器主体内导入载气的载气导入口及将蒸发的前述薄膜形成用金属卤化物和前述载气的混合气体向外部导出的混合气体导出口,
前述紧固部件将前述容器主体和前述盖体固定,
前述接头部件配设于前述盖体的前述载气导入口及前述混合气体导出口,
前述容器主体的前述容器壁具有由内壁部件及外壁部件构成的二重壁构造,构成为,被从前述载气导入口导入的前述载气经由前述二重壁构造的前述内壁部件和前述外壁部件之间向前述容器主体内导入,并且,
前述容器主体的前述容器壁由纯度99~99.9999%的铜、纯度99~99.9999%的铝、或纯度99~99.9999%的钛构成,
在前述容器主体、前述盖体、前述紧固部件及前述接头部件分别施加氟树脂涂层,及/或在各自的表面实施电解研磨。
2.如权利要求1所述的固体气化供给系统,其特征在于,
还具备在将前述蒸发原料用容器和前述缓冲罐连接的气体流路的一部分配设的阀,
前述阀是CV值以水为条件为0.2以上的真空阀。
3.如权利要求1或2所述的固体气化供给系统,其特征在于,
在构成前述容器壁的前述内壁部件的底面部,具有将经由前述内壁部件和前述外壁部件之间的前述载气向前述容器主体导入的容器内导入口。
4.如权利要求1或2所述的固体气化供给系统,其特征在于,
前述紧固部件由螺栓部件及螺母部件构成,前述螺栓部件被插入在前述容器主体及前述盖体设置的螺栓插入孔,前述螺母部件与前述螺栓部件螺纹接合来紧固。
5.如权利要求1或2所述的固体气化供给系统,其特征在于,
还具有悬架于前述容器主体内的至少一个板状的架部件。
6.如权利要求5所述的固体气化供给系统,其特征在于,
前述架部件的至少一个具有形成有多个贯通孔的花洒构造。
7.如权利要求5所述的固体气化供给系统,其特征在于,
前述架部件的至少一个由多孔质体构成。
8.如权利要求1、2、6及7中任一项所述的固体气化供给系统,其特征在于,
在前述容器主体内还具有一个方向上的最大长度为1~30mm、铝制或铜制的、一个以上的球状、长球状、叶状、螺旋状、或其他不规则形状的部件。
9.如权利要求1、2、6及7中任一项所述的固体气化供给系统,其特征在于,
作为前述蒸发原料的前述薄膜形成用金属卤化物是下述通式1所示的化合物,
通式1:MXn
其中,前述通式1中,M表示Al、Hf、Zr、Ta、W、Ga、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Tm、Yb及Co的某个元素,X表示卤素元素,N是X的数量。
10.如权利要求1、2、6及7中任一项所述的固体气化供给系统,其特征在于,
用于基于化学气相成长法的成膜。
11.如权利要求1、2、6及7中任一项所述的固体气化供给系统,其特征在于,
用于基于原子层沉积法的成膜。
12.如权利要求1、2、6及7中任一项所述的固体气化供给系统,其特征在于,
还具备向前述蒸发原料用容器的前述容器主体内供给前述载气的载气供给机构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的