[发明专利]薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统

说明书

提供能够降低颗粒污染的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。具备用于将薄膜形成用金属卤化物存积且使其蒸发的蒸发原料用容器（100）、与蒸发原料用容器（100）连接的缓冲罐（101），蒸发原料用容器（100）具备具有容器壁的容器主体、盖体、紧固部件、接头部件，容器壁具有由内壁部件及外壁部件构成的二重壁构造，构成为将载气经由二重壁构造之间向容器主体内导入，容器壁由纯度99~99.9999%的铜、纯度99~99.9996%的铝、或纯度99~99.9999%的钛构成，在容器主体、盖体、紧固部件、及接头部件分别施加氟树脂涂层及/或电解研磨。

技术领域

本发明涉及薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。更详细地说，涉及能够降低颗粒污染且能够实现高流量的供给的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。

背景技术

以往，例如化学气相成长(CVD)法中作为用于存积蒸发原料的容器已知蒸发原料用容器，并且，作为构成该蒸发原料用容器的蒸发器主体的材料，不锈钢等被报告(参照专利文献1)。

专利文献1 : 日本特开2016-866号公报。

但是，专利文献1中记载的那样的蒸发器对于容器壁采用不锈钢，该不锈钢制的容器壁热传导性好，但有耐腐蚀性不足的问题。例如，不锈钢具有耐腐蚀性，但有时由于与蒸发原料接触而稍微腐蚀，极微量的杂质混杂于蒸发原料中。此外，即使是耐蚀耐热镍基合金等其他材料，也与不锈钢相同地有极微量的杂质混杂于蒸发原料中的情况。蒸发原料中如上所述地混杂杂质时，由于蒸发器而气化的原料以被颗粒(微小颗粒)污染的状态向半导体处理设备等供给。

此外，近年来，作为反应性更高的蒸发原料而研究金属卤化物的使用。这样的金属卤化物与水分反应生成氯化氢等酸性气体，所以有由于这样的盐酸气体而蒸发原料用容器的腐蚀更显著的问题。

另一方面，最近，需要半导体制品的进一步的高性能化，结果，越来越要求更高纯度的蒸发原料(即杂质的比例更小的蒸发原料)。此外，进行原子层沉积(ALD)法的成膜的情况下，该膜需要原子等级下的无缺陷、均匀性，所以需要蒸发原料所含的杂质的量少至极限。因此，对于蒸发原料用容器的腐蚀的对策变得更加重要。

发明内容

本发明是鉴于这样的以往技术具有的问题而作出的。本发明提供能够降低颗粒污染且能够实现高流量的供给的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。

根据本发明，提供以下所示的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。

[1]一种固体气化供给系统，是具备蒸发原料用容器和缓冲罐的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统，前述蒸发原料用容器用于将作为蒸发原料的薄膜形成用金属卤化物存积且使其蒸发，前述缓冲罐与前述蒸发原料用容器连接，其特征在于，前述蒸发原料用容器具备容器主体、盖体、紧固部件、接头部件，前述容器主体具有容器壁，前述盖体构成为相对于前述容器主体装卸自如，具有向前述容器主体内导入载气的载气导入口及将蒸发的前述薄膜形成用金属卤化物和前述载气的混合气体向外部导出的混合气体导出口，前述紧固部件将前述容器主体和前述盖体固定，前述接头部件配设于前述盖体的前述载气导入口及前述混合气体导出口，前述容器主体的前述容器壁具有由内壁部件及外壁部件构成的二重壁构造，构成为，被从前述载气导入口导入的前述载气经由前述二重壁构造的前述内壁部件和前述外壁部件之间向前述容器主体内导入，并且，前述容器主体的前述容器壁由纯度99~99.9999%的铜、纯度99~99.9999%的铝、或纯度99~99.9999%的钛构成，在前述容器主体、前述盖体、前述紧固部件及前述接头部件分别实施氟树脂涂层，及/或在各自的表面实施电解研磨。

[2]前述[1]所述的固体气化供给系统，还具备在将前述蒸发原料用容器和前述缓冲罐连接的气体流路的一部分配设的阀，前述阀是CV值(以水为条件)为0.2以上的真空阀。