[发明专利]蒸发原料用容器和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统

说明书

本发明提供耐腐蚀性优异的蒸发原料用容器。用于贮存薄膜形成用金属卤化物(S)且使其蒸发的蒸发原料用容器(100)，具备：具有容器壁(12)的容器主体(2)、具有载气导入口(16)和混合气体导出口(18)的盖体(4)、固定容器主体(2)和盖体(4)的紧固构件(6)、以及接合构件(8)，容器主体(2)的容器壁(12)由纯度为99～99.9999%的铜、纯度为99～99.9999%的铝、或纯度为99～99.9999%的钛构成，对容器主体(2)、盖体(4)、紧固构件(6)、和接合构件(8)分别施行氟树脂涂层和/或电解抛光。

技术领域

本发明涉及蒸发原料用容器、和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统。更详细而言，涉及耐腐蚀性优异的蒸发原料用容器、和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统。

背景技术

以往，例如在化学气相沉积(生长) (CVD，Chemical Vapor Deposition)法中作为用于贮存蒸发原料的容器，已知有蒸发原料用容器，而且，作为构成该蒸发原料用容器的蒸发器主体的材料，报道了不锈钢等(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-866号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，如专利文献1所记载的蒸发器的容器壁采用了不锈钢，该不锈钢制的容器壁虽然导热性良好，但存在耐腐蚀性不充分的问题。例如，不锈钢虽然是具有耐腐蚀性的材料，但通过与蒸发原料接触，有时会轻微腐蚀，会有极微量的杂质混入到蒸发原料中。另外，即使是Hastelloy(哈氏合金)等其他材料，也与不锈钢同样地会有极微量的杂质混入到蒸发原料中。

另外，近年来，作为反应性更高的蒸发原料，正在研究使用金属卤化物。这样的金属卤化物与水分进行反应而产生氯化氢等酸性气体，因此存在由于这样的氯化氢(盐酸)气体而使蒸发原料用容器的腐蚀变得更显著的问题。

另一方面，最近随着要求半导体产品的更加高性能化，其结果，要求是更高纯度的蒸发原料(即，杂质的比例更小的蒸发原料)。另外，在通过原子层沉积(堆积) (ALD，AtomicLayer Deposition)法进行成膜的情况下，由于对该膜要求在原子水平的无缺陷或均匀性，因此需要将蒸发原料中所含的杂质量减少至极限。因此，针对蒸发原料用容器的腐蚀的对策变得更为重要。

本发明是鉴于这样的现有技术所具有的问题而完成的发明。本发明提供：耐腐蚀性优异的蒸发原料用容器、和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统。

用于解决课题的手段

根据本发明，提供以下所示的蒸发原料用容器、和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统。

[1] 蒸发原料用容器，其是用于贮存作为蒸发原料的薄膜形成用金属卤化物且使其蒸发的蒸发原料用容器，具备：

容器主体，具有容器壁；

盖体，拆装自如地构成于上述容器主体，具有向上述容器主体内导入载气的载气导入口和混合气体导出口，该混合气体导出口将已蒸发的上述薄膜形成用金属卤化物与上述载气的混合气体导出至外部；

紧固构件，固定上述容器主体和上述盖体；以及

接合构件，配设于上述盖体的上述载气导入口和上述混合气体导出口，

上述容器主体的上述容器壁由纯度为99～99.9999%的铜、纯度为99～99.9999%的铝、或纯度为99～99.9999%的钛构成，

对上述容器主体、上述盖体、上述紧固构件、和上述接合构件分别施行氟树脂涂层、和/或对各自的表面施行电解抛光。

[2] 上述[1]所述的蒸发原料用容器，其中，上述容器壁具有由内壁构件和外壁构件构成的双重壁结构，从上述载气导入口导入的上述载气经由(经过)上述双重壁结构的上述内壁构件与上述外壁构件之间被导入至上述容器主体内。