[发明专利]用于光刻装置中的部件、保护部件的方法以及保护光刻装置中的台的方法在审

专利信息
申请号: 202080013231.X 申请日: 2020-01-24
公开(公告)号: CN113412452A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: M·A·范德凯克霍夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/687
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 赵林琳;郑振
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 装置 中的 部件 保护 方法 以及
【说明书】:

一种保护光刻装置的部件的方法,该方法包括以下步骤:提供保护盖,该保护盖被成形为保护所述部件的至少一部分,该保护盖具有接触表面,该接触表面被布置为粘附到所述光刻装置或所述部件的至少一部分的第一表面;以及使保护盖接近部件,以便使得接触表面粘附到光刻装置或所述部件并且在不施加外力的情况下保持粘附。还提供了一种用于光刻装置中的图案形成装置以及光刻装置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月8日提交的欧洲专利申请号19156202.4的优先权,该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及用于光刻装置中的部件、制造部件的方法以及保护光刻装置中的台的方法。具体地但不排他地,部件可以是掩模版或替代掩模版的保护板。本发明具有与EUV光刻装置和EUV光刻掩模版相关的特定但不排他的用途。

背景技术

光刻装置是被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻装置可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影在衬底上,光刻装置所使用的辐射波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用DUV辐射(例如,具有193nm的波长)的光刻装置相比,使用EUV辐射(即,波长在范围4nm至20nm内的电磁辐射)的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。

光刻装置中图案形成装置上的灰尘或其他污染物可能特别麻烦,因为灰尘颗粒或其他污染物可能会在制作的每个器件上成像。如果对所制造的图案的影响使器件无法正常工作,则产率将受到严重影响,直至清洁图案形成装置你能够被清洁为止。使光刻装置(尤其是图案形成装置附近)中的污染最小的措施非常重要。

同样,安装有图案形成装置的支撑结构上的灰尘或其他污染物会引起问题,因为它们会影响图案形成装置的定位和定向的精度。安装有图案形成装置的支撑台通常形成有从支撑结构的主体延伸的多个突节。

为了在不使用时保护图案形成装置免受污染,该图案形成装置可以从支撑结构中移除并且容纳在保护壳中。然而,这会使支撑结构暴露在污染中。例如,在清洁、排气和/或冲洗操作期间,大量气流通过光刻装置。同样,在运输光刻装置期间,通常不会安装图案形成装置,以防止损坏和/或污染,但仍期望保护支撑结构的表面。

保护支撑结构表面的一种方式是提供一个平板,该平板被定位在该图案形成装置的位置处。这种板有时被称为“保护掩模版”,即使它们本身没有图案。

在传统光刻装置中,掩模版(和保护板或“保护掩模版”)通常使用真空夹持而被夹持到支撑结构,其中(沿支撑结构的方向)在掩模版的外表面与后表面之间形成压差,从而将掩模版/保护板夹持到支撑结构。真空夹持还可以用于将光刻装置中的其他部件保持到位。

然而,一些光刻装置(具体地,使用EUV辐射的光刻装置)在低压下操作,使得不能跨掩模版或其他部件产生足够的压差以将部件保持到位。在这样的装置中,部件可以通过将电压施加到支撑结构(或部件被稳固到其的装置的其他部分)以静电方式夹持,使得在部件与装置之间产生电势差,从而将两者夹持在一起。

然而,至少为了克服作用在诸如掩模版之类的悬浮部件上的重力的这种夹持所需的静电电压通常高达100伏特。在低压环境中,这样的电压可能不安全(所使用的典型压力下的固有安全电压极限约为~250V)。当为了冲洗或排气而增加压力时尤其如此,同时在这样的操作中保护支撑结构(或装置的其他部分)免受污染也可能特别重要。

一些光刻装置通过将掩模版放置在充当安全栓(safety catch)的脚内来解决后一问题。然而,这种方案具有显著缺点,即在掩模版与安全栓的脚之间存在机械接触和磨损,这可能是由于脚上留下颗粒而导致掩模版随后装载的缺陷的主要来源。

发明内容

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