[发明专利]存储器装置的刷新速率控制

权利要求书

1.一种方法，其包括：

根据对应于刷新存储器装置的存储器阵列的第一速率的第一组刷新参数操作所述存储器阵列；

由所述存储器装置检测对应于电压条件、数据错误条件、最小刷新速率或所述存储器阵列的一或多个组件的状态中的至少一个的事件；以及

至少部分地基于检测到所述事件而根据第二组刷新参数操作所述存储器阵列，所述第二组刷新参数对应于刷新所述存储器阵列的第二速率，所述第二速率快于所述第一速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于在所述存储器装置处检测到所述事件而由所述存储器装置从根据所述第一组刷新参数操作切换到根据所述第二组刷新参数操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

由所述存储器装置确定所述存储器装置的温度满足阈值，其中在所述存储器阵列处检测所述事件至少部分地基于确定所述存储器装置的所述温度满足所述阈值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一组刷新参数包括针对多个刷新操作中的每一个刷新的行的第一数量；并且

所述第二组刷新参数包括针对所述多个刷新操作中的每一个刷新的行的第二数量。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

由所述存储器装置确定行的所述第一数量和第一刷新周期性，其中根据所述第一组刷新参数操作所述存储器阵列包括以所述第一刷新周期性执行所述多个刷新操作；以及

由所述存储器装置至少部分地基于在所述存储器阵列处检测到所述事件而确定行的所述第二数量和第二刷新周期性，其中根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列包括以所述第二刷新周期性执行所述多个刷新操作。

6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

从主机装置接收多个刷新命令，其中根据所述第一组刷新参数或所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列包括针对所述多个刷新命令中的每一个执行所述多个刷新操作中的一个。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据错误条件至少部分地基于对存储在所述存储器阵列中的数据发起错误校正的电路的错误校正速率。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于在所述存储器阵列处检测到所述事件而将包括根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列的指示的信令传输到主机装置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述信令包括指示所述事件的一或多个位。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列时从主机装置接收根据第三组刷新参数操作所述存储器阵列的指示；以及

至少部分地基于从所述主机装置接收到所述指示而根据所述第三组刷新参数操作所述存储器阵列。

11.一种方法，其包括：

从主机装置接收用于存储器装置的存储器阵列的多个刷新命令；

在所述存储器阵列处根据第一组刷新参数执行所述多个刷新命令中的第一刷新命令；

由所述存储器装置检测所述存储器阵列的条件；

至少部分地基于检测到所述条件而从使用所述第一组刷新参数转变到使用对应于增大的刷新速率的第二组刷新参数；以及

在所述存储器阵列处根据所述第二组刷新参数执行所述多个刷新命令中的第二刷新命令。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一组刷新参数包括在执行所述第一刷新命令期间刷新的所述存储器阵列的行的第一数量；并且

所述第二组刷新参数包括在执行所述第二刷新命令期间刷新的所述存储器阵列的行的第二数量，其中行的所述第二数量大于行的所述第一数量。