[发明专利]存储器装置的刷新速率控制

说明书

描述了用于存储器装置的刷新速率控制的方法、系统和装置。举例来说，可根据例如刷新速率的第一组刷新参数刷新存储器装置的存储器阵列。所述存储器装置可检测所述存储器装置处与数据完整性降低相关联的事件。在一些情况下，所述事件可与所述存储器装置的温度、在所述存储器装置处检测到的电压电平、所述存储器装置处的错误事件等等相关联。作为检测到所述事件的结果，所述存储器装置可调适所述一组刷新参数中的一或多个，例如增大所述存储器阵列的所述刷新速率。在一些情况下，所述存储器装置可通过增加在刷新操作期间刷新的所述存储器阵列的行的数量、减小刷新操作之间的周期性或同时进行这两种操作来调适所述一组刷新参数。

交叉引用

本专利申请要求沙佛(Schaefer)等人在2020年2月10日申请的标题为“存储器装置的刷新速率控制(REFRESH RATE CONTROL FOR A MEMORY DEVICE)”的第16/786,725号美国专利申请和沙佛等人在2019年2月12日申请的标题为“存储器装置的刷新速率控制(REFRESH RATE CONTROL FOR A MEMORY DEVICE)”的第62/804,469号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一篇均转让给本受让人并且均明确地以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及存储器系统，且更具体来说，涉及存储器装置的刷新速率控制。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置最经常存储两个状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如SRAM、DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。

对于一些类型的存储器(例如，DRAM、其它易失性存储器)，可偶尔(例如，周期性地)刷新由存储器单元存储的逻辑状态。此外，在一些情况下，所存储的数据可在不刷新的情况下维持数据完整性的时间量可与存储器装置的其它参数有关。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、提高可靠性、提高数据完整性、降低功率消耗或降低制造成本，以及其它度量。

附图说明

图1说明支持支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的系统的实例。

图2说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的存储器裸片的实例。

图3说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的系统的实例。

图4到6说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的过程流的实例。

图7展示支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的装置的框图。

图8到11展示说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的一或多种方法的流程图。

具体实施方式