[发明专利]多极连接器组件以及电路基板连接构造有效

专利信息
申请号: 202080013726.2 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN113491037B 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 常门陆宏;前田吉朗;真室稔 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01R12/73 分类号: H01R12/73;H01R13/6585
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王玮;张丰桥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多极 连接器 组件 以及 路基 连接 构造
【权利要求书】:

1.一种多极连接器组件,是将第一连接器与第二连接器沿嵌合方向相互嵌合而构成的多极连接器组件,其中,

所述第一连接器具备:第一内部端子组,由沿与所述嵌合方向交叉的排列方向排列的多个第一内部端子构成;第二内部端子组,由与所述第一内部端子组并列地排列的多个第二内部端子构成;以及第一绝缘性部件,对所述第一内部端子组及所述第二内部端子组进行保持,

所述第二连接器具备:第三内部端子组,由沿与所述嵌合方向交叉的排列方向排列的多个第三内部端子构成;第四内部端子组,由与所述第三内部端子组并列地排列的多个第四内部端子构成;以及第二绝缘性部件,对所述第三内部端子组及所述第四内部端子组进行保持,

在所述第一绝缘性部件设置有贯通孔,所述贯通孔配置在所述第一内部端子组与所述第二内部端子组之间并沿所述嵌合方向贯通,

所述多极连接器组件还具备:

导电性的屏蔽部件,从所述嵌合方向观察时,配置在所述第一内部端子组与所述第二内部端子组之间、以及所述第三内部端子组与所述第四内部端子组之间,并且能够在所述贯通孔中沿所述嵌合方向移动;和

弹簧部,对所述屏蔽部件向与嵌合方向平行且从所述第二绝缘性部件朝向所述第一绝缘性部件的方向施力,

所述多极连接器组件构成为在所述第一连接器与所述第二连接器相互嵌合的状态下,所述屏蔽部件贯通所述贯通孔并从所述第一绝缘性部件突出。

2.根据权利要求1所述的多极连接器组件,其中,

所述屏蔽部件的所述排列方向的长度比所述第一内部端子组的所述排列方向的长度长。

3.根据权利要求1或2所述的多极连接器组件,其中,

所述屏蔽部件是配置为沿着所述嵌合方向及所述排列方向的板状部件,

所述弹簧部构成为从两主面侧或底面对所述屏蔽部件施力而保持所述屏蔽部件在所述嵌合方向上的姿态,其中所述两主面是指所述屏蔽部件的与所述所述嵌合方向及所述排列方向平行的两个主面。

4.根据权利要求3所述的多极连接器组件,其中,

所述屏蔽部件是配置为沿着所述嵌合方向及所述排列方向的板状部件,

所述弹簧部具有在从所述嵌合方向观察时,在与所述嵌合方向及所述排列方向交叉的方向上从所述屏蔽部件的所述两主面之中的一方的主面及另一方的主面、或者所述屏蔽部件的底面延伸的一对脚部,

所述一对脚部向相互分离的方向弯曲。

5.根据权利要求1或2所述的多极连接器组件,其中,

所述屏蔽部件是配置为沿着所述嵌合方向及所述排列方向的板状部件,

所述弹簧部在从所述嵌合方向观察时,沿着所述排列方向地延伸并且设置于与所述屏蔽部件重叠的位置。

6.一种电路基板连接构造,具备将第一连接器与第二连接器沿嵌合方向相互嵌合而构成的多极连接器组件、与所述第一连接器连接的第一电路基板、以及与所述第二连接器连接的第二电路基板,其中,

所述第一连接器具备:第一内部端子组,由沿与所述嵌合方向交叉的排列方向排列的多个第一内部端子构成;第二内部端子组,由与所述第一内部端子组并列地排列的多个第二内部端子构成;以及第一绝缘性部件,对所述第一内部端子组及所述第二内部端子组进行保持,

所述第二连接器具备:第三内部端子组,由沿与所述嵌合方向交叉的排列方向排列的多个第三内部端子构成;第四内部端子组,由与所述第三内部端子组并列地排列的多个第四内部端子构成;以及第二绝缘性部件,对所述第三内部端子组及所述第四内部端子组进行保持,

在所述第一绝缘性部件设置有贯通孔,所述贯通孔配置在所述第一内部端子组与所述第二内部端子组之间并沿所述嵌合方向贯通,

所述多极连接器组件还具备:

导电性的屏蔽部件,从所述嵌合方向观察时,配置在所述第一内部端子组与所述第二内部端子组之间、以及所述第三内部端子组与所述第四内部端子组之间,并且能够在所述贯通孔中沿所述嵌合方向移动;和

弹簧部,在所述第一连接器与所述第二连接器相互嵌合的状态下,对所述屏蔽部件向与嵌合方向平行且从所述第二绝缘性部件朝向所述第一绝缘性部件的方向施力,使所述屏蔽部件经过所述贯通孔而与所述第一电路基板接触。

7.根据权利要求6所述的电路基板连接构造,其中,

在所述第一电路基板中设置于离所述屏蔽部件最近的位置的第一接地导体的厚度比在所述第二电路基板中设置于离所述屏蔽部件最近的位置的第二接地导体的厚度薄。

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