[发明专利]接合基板的制造方法在审
| 申请号： | 202080013806.8 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113424295A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 日野龙之介;岸勇藏;岸本谕卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朴云龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 制造 方法 | ||
1.一种接合基板的制造方法，包括：
准备具有在中央部设置了凸部的面的一个基板和另一个基板的工序；以及
将所述一个基板的设置了所述凸部的面作为与所述另一个基板接合的接合面而将所述一个基板和所述另一个基板接合的工序。
2.根据权利要求1所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板的接合面的外周部比所述中央部的凸部低。
3.根据权利要求1所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板具有在所述中央部的凸部的周边设置的多个凸部。
4.根据权利要求3所述的接合基板的制造方法，其中，
所述中央部的凸部的高度为在所述中央部的凸部的周边设置的多个凸部的高度以上。
5.根据权利要求3或4所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板具有在所述接合面中的以所述中央部的凸部为中心的同心圆上设置的凸部。
6.根据权利要求5所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板具有包括所述中央部的凸部在内的三个以上的奇数个凸部和偶数个所述凹部。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的接合基板的制造方法，其中，
在所述一个基板中，所述中央部的凸部的高度与所述凹部的高度之差大于所述接合面的表面粗糙度且为100μm以下。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的接合基板的制造方法，其中，
所述另一个基板具有与所述一个基板接合的接合面，并具有在所述接合面中的关于所述一个基板的接合面面对称的位置设置的凸部。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的接合基板的制造方法，其中，
将所述一个基板和所述另一个基板通过直接接合进行接合。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板是硅基板。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的接合基板的制造方法，其中，
所述一个基板具有硅氧化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
