[发明专利]微发光二极管吸附体在审
申请号: | 202080013974.7 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN113424305A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;臧建明 |
地址: | 韩国忠清南道牙山市屯浦面*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 吸附 | ||
1.一种微发光二极管吸附体,是利用真空吸入力吸附微发光二极管的微发光二极管吸附体,其特征在于,包括:
主体部,布置有真空吸入路径;以及
缓冲部,配置在所述主体部的表面,以在吸附所述微发光二极管时缓和冲击。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述主体部为所述真空吸入路径上下贯通的非多孔性部件。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述主体部为多孔性部件。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述多孔性部件具有任意气孔。
5.根据权利要求3所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述多孔性部件具有垂直气孔。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述多孔性部件由具有垂直气孔的阳极氧化膜形成,且具有比所述气孔的宽度大的宽度的贯通孔形成所述真空吸入路径。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述缓冲部的暴露表面具有粘着力。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述缓冲部的暴露表面不具有粘着力。
9.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述缓冲部包含金属材质。
10.一种微发光二极管吸附体,其特征在于,包括:
主体部,配置有具有气孔的阳极氧化膜及贯通所述阳极氧化膜的贯通孔;以及
缓冲部,配置在所述主体部的表面,且在吸附微发光二极管时缓和冲击。
11.根据权利要求10所述的微发光二极管吸附体,其特征在于,
所述缓冲部的开口具有与所述贯通孔对应的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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