[发明专利]微发光二极管吸附体在审
申请号: | 202080013974.7 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN113424305A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;臧建明 |
地址: | 韩国忠清南道牙山市屯浦面*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 吸附 | ||
本发明涉及一种真空吸附微发光二极管的微发光二极管真空吸附体,特别是涉及一种在吸附微发光二极管时可防止微发光二极管破损问题的微发光二极管吸附体。
技术领域
本发明涉及一种吸附微发光二极管的吸附体。
背景技术
目前,显示器市场仍以液晶显示器为主流,但其中有机发光二极管正在迅速地取代液晶显示器并逐渐成为主流。最近,在显示器企业参与有机发光二极管市场成为热潮的情况下,Micro LED(以下称为“微LED”)显示器正成为又一代显示器。液晶显示器与有机发光二极管的核心原材料分别为液晶(Liquid Crystal)、有机材料,与此相反,微LED显示器是将1微米到100微米单位的LED芯片自身用作发光材料的显示器。
科锐公司在1999年申请有关“提高光输出的微发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现微LED的用语以来,陆续发表相关研究论文,并且进行研究开发。作为为了将微LED应用于显示器而需解决的课题,需开发一种基于柔性原材料/元件的微LED元件的定制型微芯片,需要一种用于将微米尺寸的LED芯片转移(transfer)的技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。
特别是,关于将微LED元件移送到显示基板的转移(transfer)方面,由于LED大小变小到1微米(μm)到100微米单位,无法使用既有的取放(pickplace)设备,因此需要以更高精密度移送的转移头技术。关于此种转移头技术,如以下阐述所示提出了几种结构,但各提案技术具有几种缺点。
美国的勒克斯维公司提出了一种使用静电头(electrostatic head)转移微LED的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号,以下称为“现有发明1”)。现有发明1的转移原理是通过对由硅材质制成的头部分施加电压并通过带电现象而与微LED产生密着力的原理。此方法由于在静电感应时施加到头的电压而会产生由带电现象引起的对微LED的损伤问题。
美国的X-赛勒普公司提出了一种应用具有弹性的高分子物质作为转移头而将晶片上的微LED移送到期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号,以下称为“现有发明2”)。与静电头方式相比,此方法不存在损伤LED的问题,但存在以下缺点:在转移过程中,只有弹性转移头的粘着力大于目标基板的粘着力才可稳定地移送微LED,且需要追加用以形成电极的工艺。另外,持续地保持弹性高分子物质的粘着力也作为非常重要的因素发挥作用。
韩国光技术院提出了一种使用纤毛粘着结构头来转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号1754528号,以下称为“现有发明3”)。但是,现有发明3存在难以制作纤毛的粘着结构的缺点。
韩国机械研究院提出了一种在辊上涂覆粘着剂来转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号,以下称为“现有发明4”)。但是,现有发明4存在如下缺点:需要连续使用粘着剂,并且在对辊加压时也可能会损伤微LED。
三星显示器提出了一种在阵列基板浸入于溶液中的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压,通过静电感应现象将微LED转移到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号,以下称为“现有发明5”)。但是,现有发明5存在如下缺点:在将微LED浸入于溶液来转移到阵列基板方面需要单独的溶液,且之后需要干燥工艺。
LG电子提出了一种在多个拾取头与基板之间配置头保持器并随着多个拾取头的运动使其形状变形以向多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号,以下称为“现有发明6”)。但是,现有发明6存在如下缺点:在将具有粘着力的粘合物质涂布到多个拾取头的粘着面来转移微LED的方式方面,需要将粘合物质涂布到拾取头的单独的工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普因特工程有限公司,未经普因特工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080013974.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造