[发明专利]带有抑制控制的钨特征填充

权利要求书

1.一种用于衬底处理中的选择性抑制控制的方法，所述方法包括：

提供包括具有一个或多个特征开口和特征内部的特征的衬底；

在所述特征内部的表面上形成成核层；

基于差异化抑制轮廓，在所述成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由所述非保形本体层覆盖的所述成核层的区域，以及未覆盖的所述成核层的区域；

在所述成核层的覆盖区域和未覆盖区域上选择性地形成抑制层；以及

根据所述差异化抑制轮廓在所述特征中选择性地沉积钨。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述特征内部的表面上形成的所述成核层是保形成核层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述成核层的所述覆盖区域包括所述特征内部的上部区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述特征内部的所述上部区域对应于在所述保形成核层和所述抑制层之间形成的所述非保形本体层的外表面的边界。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述成核层的所述覆盖区域邻近所述特征的敞开的嘴部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述成核层的表面上选择性地形成所述非保形本体层包括在将所述抑制层施加到所述成核层的所述覆盖区域或所述未覆盖区域之前将所述本体层施加到所述成核层。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述特征内部的上部区域中的所述本体层上形成所述抑制层，以及在所述特征内部的中间区域中的所述成核层的所述覆盖区域上形成所述抑制层。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括不在所述特征内部的无抑制下部区域中形成抑制层。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括不在所述中间区域中形成所述非保形本体层，使得所述抑制层直接位于所述中间区域中的所述成核层上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制层对所述非保形本体层的差异化效应相对较强；并且

其中所述抑制层对所述成核层的所述差异化效应相对较弱。

11.一种系统，其包括存储器和至少一个处理器，该处理器由所述存储器中的指令配置以执行或控制用于衬底处理中的选择性抑制控制的方法中的操作，所述衬底包括具有一个或多个特征开口和特征内部的特征，所述操作至少包括：

在所述特征内部的表面上形成成核层；

基于差异化抑制轮廓，在所述成核层的表面上选择性地形成非保形本体层，以留下由所述非保形本体层覆盖的所述成核层的区域和未覆盖的所述成核层的区域；

在所述成核层的覆盖区域和未覆盖区域选择性地形成抑制层；以及

根据差异化抑制轮廓在所述特征中选择性地沉积钨。

12.根据权利要求11所述的系统，其中在所述特征内部的表面上形成的所述成核层是保形成核层。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述成核层的所述覆盖区域包括所述特征内部的上部区域。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述特征内部的所述上部区域对应于在所述保形成核层和所述抑制层之间形成的所述非保形本体层的外表面的边界。

15.根据权利要求11所述的系统，其中所述成核层的所述覆盖区域邻近所述特征的敞开的嘴部。

16.根据权利要求11所述的系统，其中在所述成核层的表面上选择性地形成所述非保形本体层包括在将所述抑制层施加到所述成核层的所述覆盖区域或所述未覆盖区域之前将所述本体层施加到所述成核层。