[发明专利]具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件；以及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

载流子槽结构；

在所述载流子槽结构上方的数字线；

在所述数字线上方的晶体管主体区域；

延伸部，其从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域的至少垂直层级；所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出到所述载流子槽结构；

在所述晶体管主体区域与所述数字线之间的下部源极/漏极区域；所述下部源极/漏极区域与所述数字线耦合；

在所述晶体管主体区域上方的上部源极/漏极区域；

与所述上部源极/漏极区域耦合的存储元件；

邻近所述晶体管主体区域的栅极；以及

所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管；所述晶体管和所述存储元件一起由存储器阵列的多个存储器单元组成。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构耦合到电压源，所述电压源被配置成向所述载流子槽结构提供参考电压。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中在所述晶体管主体区域的操作期间，所述载流子槽结构保持在恒定偏压。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述晶体管主体区域在垂直延伸的半导体柱内。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述数字线沿第一方向延伸；并且其中所述下部源极/漏极区域、所述晶体管主体区域和所述上部源极/漏极区域沿与所述第一方向正交的横截面都具有彼此相同的宽度。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述数字线沿第一方向延伸；并且其中所述下部源极/漏极区域相对于所述晶体管主体区域和所述上部源极/漏极区域沿与所述第一方向正交的横截面具有不同的宽度。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述存储元件是电容器。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述存储器单元是单晶体管单电容器(1T-1C)存储器单元。

9.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述存储器单元是双晶体管单电容器(2T-1C)存储器单元。

10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构是p型。

11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构是n型。

12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述载流子槽结构包括用p型掺杂剂或n型掺杂剂掺杂到至少约1×10²⁰原子/cm³的浓度的硅。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述延伸部包括用所述p型掺杂剂或n型掺杂剂掺杂到至少约1×10²⁰原子/cm³的浓度的硅。

14.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述延伸部直接接触所述晶体管主体区域。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中：

所述数字线沿横截面具有宽度；

所述晶体管主体区域沿所述横截面具有凸缘区域，其中所述凸缘区域向外延伸超过所述宽度并具有下侧；并且

所述延伸部直接接触所述凸缘区域的所述下侧。

16.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述延伸部通过中间绝缘区域而与所述晶体管主体区域间隔开。