[发明专利]处理基板的方法在审
| 申请号： | 202080014477.9 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113424297A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | R·纳拉亚南;阮芳;P·K·库尔施拉希萨;D·N·凯德拉亚;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/683;C23C16/32;H01J37/32;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：
使定位于处理腔室的处理容积中的所述基板暴露于含烃气体混合物；
使所述基板暴露于含硼气体混合物，其中所述含烃气体混合物与所述含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入所述处理容积；以及
在所述处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于所述基板上沉积硼-碳膜，其中所述硼-碳膜具有约55原子百分比至约95原子百分比的硼。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含烃气体混合物包含烷烃。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述含烃气体混合物包含丙烯(C3H6)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述含硼气体混合物包含在氢气(H2)中稀释的约9重量百分比(重量％)的二硼烷(B2H6)。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述含烃气体混合物与所述含硼气体混合物之比为约0.7：1至约0.12：1。
6.如权利要求1所述的方法，其中产生所述RF等离子体的步骤包含：施加约12MHz至约14MHz的高频和约0.1kHz至约1kHz的低频。
7.如权利要求6所述的方法，其中施加高频和低频是以约50W至约2500W的功率水平施加的。
8.一种处理基板的方法，包含以下步骤：
使定位于处理腔室的处理容积中的所述基板暴露于含烃气体混合物；
使所述基板暴露于含硼气体混合物，其中所述含烃气体混合物与所述含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入所述处理容积；以及
在所述处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于所述基板上沉积硼-碳膜，其中所述硼-碳膜具有约35原子百分比至约55原子百分比的硼。
9.如权利要求8所述的方法，其中产生所述RF等离子体的步骤包含：施加约12MHz至约14MHz的高频和约0.1kHz至约1kHz的低频。
10.如权利要求9所述的方法，其中施加高频和低频是以约50W至约2500W的功率水平施加的。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述基板固定至静电卡盘(ESC)。
12.一种非瞬态计算机可读取介质，所述介质含有程序指令，用以促使计算机进行下列方法：
使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物；
使所述基板暴露于含硼气体混合物，其中所述含烃气体混合物与所述含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入所述处理容积；以及
在所述处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于所述基板上沉积硼-碳膜，其中所述硼-碳膜具有约55原子百分比至约95原子百分比的硼。
13.如权利要求12所述的非瞬态计算机可读取介质，其中所述含烃气体混合物包含烷烃。
14.如权利要求12所述的非瞬态计算机可读取介质，其中所述含硼气体混合物包含在氢气(H2)中稀释的约9重量百分比(重量％)的二硼烷(B2H6)。
15.如权利要求12所述的非瞬态计算机可读取介质，其中所述含烃气体混合物与含硼气体混合物之比为约0.7：1至约0.12：1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
