[发明专利]处理基板的方法

说明书

本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼‑碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼‑碳硬掩模膜为高深宽比特征(例如10：1或以上)和小尺寸器件(例如7纳米节点或以下)提供高模量、蚀刻选择性和应力。

技术领域

本发明实施例总体上涉及方法，更具体地涉及处理基板的方法。

背景技术

对更大集成电路密度的需求加诸了对制造集成电路部件的工艺序列的要求。例如，在使用常规光刻技术的工艺序列中，能敏抗蚀剂层形成在置于基板上的材料层堆叠上方。能敏抗蚀剂层暴露于图案图像而形成光刻胶掩模。之后，利用蚀刻工艺，将掩模图案转移到堆叠的材料层中的一者或多者。用于蚀刻工艺的化学蚀刻剂经选择使堆叠的材料层具有比能敏抗蚀剂的掩模大的蚀刻选择性。对抗蚀剂层上方堆叠的一或更多材料层有蚀刻选择性可防止能敏抗蚀剂层在完成图案转移前耗尽。

随着图案尺寸缩小，能敏抗蚀剂厚度相应减小，以控制图案分辨率。由于化学蚀刻剂侵蚀，这种薄抗蚀剂层可能无法在图案转移操作期间充分掩模底下材料层。称作硬掩模的中间层常用于能敏抗蚀剂层与底下材料层之间来促进图案转移，因为硬掩模更能抵挡化学蚀刻剂。随着关键尺寸(CD)减小，目前硬掩模材料缺乏相对底下材料的期望蚀刻选择性。

因此，需要用于沉积具改善蚀刻选择性的硬掩模膜的方法。

发明内容

本文所含实施例包括处理基板的方法。方法包括沉积硼-碳膜，硼-碳膜具有改善蚀刻选择性。

在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼-碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼-碳膜具有约55原子百分比至约95原子百分比的硼。

在另一实施例中，提供处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼-碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼-碳膜具有约35原子百分比至约55原子百分比的硼。

在又一实施例中，提供处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼-碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。含烃气体混合物包括丙烯(C₃H₆)。硼-碳膜具有约55原子百分比至约95原子百分比的硼。

附图说明

为了可以详细理解本公开的上述特征，可通过参考实施例得到以上简要概括的实施例的更具体的说明，部分实施例示出在附图中。然而，应注意所附附图仅描绘本公开的典型实施例，因此不宜视为限定本公开的范围，因为本公开可接纳其他等效实施例。

图1示出根据一实施例的基板处理系统的示意图。

图2是根据一实施例的用于沉积硼-碳膜的方法操作流程图。

图3示出根据一实施例的基板结构的截面示意图。

图4是绘示硼(B)百分比对前驱物比率(PR)的曲线图。

具体实施方式