[发明专利]用于机械接口的中间层

权利要求书

1.一种光刻系统，包括：

辐射源，所述辐射源用于向掩模版提供辐射能量；

掩模版平台，所述掩模版平台被配置成保持所述掩模版；和

联接至所述掩模版平台的中间设备，所述中间设备包括：

第一基板；

第二基板；和

中间层，所述中间层设置在所述第一基板和所述第二基板之间，

其中，所述中间层被配置成作为所述中间设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且

其中，所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间设备被配置成在受到所述外力的情况下降低对所述掩模版平台的损坏。

3.根据权利要求1所述的设备，还包括联接至所述掩模版平台并且被配置成固定所述掩模版的夹具。

4.根据权利要求1所述的设备，其中辐射能量是极紫外(EUV)辐射。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间层包括钢化陶瓷、或塑料。

6.一种用于光刻设备中的掩模版平台的设备，包括：

第一基板；

第二基板；和

中间层，所述中间层设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中，所述中间层被配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且

其中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成在受到所述外力的情况下降低对所述掩模版平台的损坏。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有与所述第二基板的刚度、抗压强度或热膨胀系数大致相等的刚度、抗压强度或热膨胀系数。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的极限抗拉强度更低的极限抗拉强度。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。

10.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的表面粗糙度更大的表面粗糙度。

11.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述中间层包括钢化陶瓷、或塑料。

13.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二基板包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。

14.根据权利要求6所述的设备，还包括被设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层，其中所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和所述第二基板。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述中间层包括被配置成给所述结合层通风的凹槽。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述结合层包括环氧树脂、弹性体、或热塑性塑料。