[发明专利]用于机械接口的中间层

说明书

一种设备，包括第一基板、第二基板和设置在所述第一基板与所述第二基板之间的中间层。所述中间层被配置成作为在所述设备受到外力的情况下的第一失效点或破损点。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层。所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和第二基板。所述设备还可以包括被联接至所述第一基板和所述第二基板的紧固件。所述紧固件被配置成将所述中间层固定到所述第一基板和所述第二基板。所述中间层可以包括涂覆至所述第一衬底或所述第二衬底的涂层。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述紧固件之间或所述第二基板与所述紧固件之间的第二中间层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月13日递交的美国临时专利申请号62/804,915的优先权，并且所述美国临时申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于结合和/或夹紧设备的中间层或牺牲层，例如，用于光刻设备和系统的结合或夹紧设备。

背景技术

光刻设备是一种被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。此辐射的波长确定了可形成于衬底上的特征的最小大小。使用具有在4至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成与使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

对于大多数制造过程(包括光刻过程)，将材料件接合在一起是一种常见的操作。本领域中已知在光刻和半导体制造过程中使用环氧树脂或粘合材料将部件附接在一起。当前用以结合或粘附部件(例如，金属层和陶瓷层(例如，玻璃)界面)的方法由于热膨胀系数(CTE)的差异而在各层之间引入热应力。

此外，使用紧固件(例如夹具、螺栓等)来接合材料件可能会导致已接合的一层或两层破损或开裂。此外，由于邻接的表面之间的缺陷，可能会出现应力集中。由于环氧树脂或粘合剂结合的优点和多功能性，需要在不损坏所粘合的工件的情况下利用环氧树脂来对工件进行结合，并且以便利且有效的方式降低热应力。此外，由于直接地紧固所述件而不使用环氧树脂的优点，因此需要在不损坏所紧固的工件的情况下对工件进行紧固，并且以便利且有效的方式降低应力集中和破损的风险。

发明内容

在一些实施例中，光刻系统包括用于向掩模版提供辐射能量的辐射源、被配置成保持所述掩模版的掩模版平台、以及被联接至掩模版平台的中间设备。在一些实施例中，所述中间设备包括第一基板、第二基板、和设置于第一基板与第二基板之间的中间层。在一些实施例中，所述中间层被配置成作为所述中间设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。在一些实施例中，所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。

在一些实施例中，所述中间设备被配置成减少在受到外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。在一些实施例中，光刻系统还包括联接至所述掩模版平台并且被配置成固定所述掩模版的夹具。在一些实施例中，辐射能量是极紫外(EUV)辐射。在一些实施例中，所述中间层包括(微晶玻璃)、钢化陶瓷、或塑料。

在一些实施例中，用于光刻设备中的掩模版平台的设备包括第一基板、第二基板、和被设置在第一基板与第二基板之间的中间层。在一些实施例中，所述中间层配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。在一些实施例中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成减少在受到所述外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。