[发明专利]使用沟槽移除器件的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

蚀刻基板以在所述基板的表面形成一个或多个沟槽；

将生长限制掩模沉积在所述基板上或上方，包括至少部分在所述沟槽上或所述沟槽中，其中所述生长限制掩模具有暴露所述基板的表面的一个或多个开口区域；

在所述生长限制掩模的开口区域处所述基板的表面上生长一个或多个III族氮化物外延横向过生长(ELO)层，其中所述III族氮化物ELO层具有由所述基板中的沟槽形成的凹陷的分离区域；

在所述III族氮化物ELO层上生长一个或多个III族氮化物半导体器件层以创造一个或多个岛状III族氮化物半导体层，在其上制造一个或多个光电器件；以及

使用所述沟槽从所述基板上移除所述光电器件。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述沟槽中沉积的所述生长限制掩模在所述沟槽中具有所述开口区域中的一个或多个。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在所述沟槽中的所述开口区域处生长所述III族氮化物ELO层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，为了在所述基板的表面上形成所述沟槽对所述基板的蚀刻导致所述基板的一个或多个剩余表面区域。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述生长限制掩模沉积在所述剩余表面区域的至少一部分上。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述剩余表面区域的所述部分包括所述剩余表面区域的边缘。

7.如权利要求5所述的方法，其中，在所述剩余表面区域的所述部分上沉积的所述生长限制掩模确定应该从何处开始劈裂来从所述基板移除所述器件。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物ELO层从所述生长限制掩模的开口区域生长而没有聚结，在所述III族氮化物ELO层的分离岛之间留下非生长区域。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述沟槽导致所述III族氮化物ELO层的分离岛的对称形状，并且所述III族氮化物ELO层的分离岛的对称形状导致所述器件适用于倒装芯片接合。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述凹陷的分离区域的表面高于所述III族氮化物ELO层的底部。

11.如权利要求10所述的方法，其中，一个或多个劈裂点位于高于所述III族氮化物ELO层的底部，使得向所述劈裂点施加力以从所述基板移除所述器件。

12.一种通过权利要求1的方法制造的器件。

13.一种结构，包括：

基板，将其蚀刻以在所述基板的表面上形成一个或多个沟槽；

生长限制掩模，将其沉积在所述基板上或上方，包括至少部分地在所述沟槽上或所述沟槽中，其中所述生长限制掩模具有暴露所述基板的表面的开口区域；

一个或多个III族氮化物外延横向过生长(ELO)层，生长在所述生长限制掩模的所述开口区域处的所述基板的表面上，其中所述III族氮化物ELO层具有由所述基板中的沟槽形成的凹陷的分离区域；以及

一个或多个III族氮化物半导体器件层，生长在所述III族氮化物ELO层上以创建岛状的III族氮化物半导体层，在其上制造一个或多个光电器件。

14.如权利要求13所述的器件，其中，所述沟槽导致所述III族氮化物ELO层的分离岛的对称形状，并且所述III族氮化物ELO层的分离岛的对称形状导致所述器件适用于倒装芯片接合。

15.如权利要求13所述的器件，其中，所述凹陷的分离区域的表面高于所述III族氮化物ELO层的底部。