[发明专利]使用沟槽移除器件的方法在审
| 申请号： | 202080014791.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113439322A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S.甘德罗图拉;M.阿拉基 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 沟槽 器件 方法 | ||
在基板的开口区域上生长外延横向过生长(ELO)层，其中ELO层高于基板中的沟槽的表面。沟槽易于形成ELO层的对称形状，这使得其适用于倒装芯片接合。ELO层的形状在由ELO层形成的条的背面具有凹陷的表面区域。劈裂点位于比ELO层的底部更高的位置，使得可以有效地向劈裂点施加力以移除条。
本申请根据35 U.S.C第119(e)节要求以下共同待决和共同转让的申请的权益：
由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula和Masahiro Araki于2019年1月16日提交的美国临时申请序列号62/793,253，题为《使用A沟槽移除器件的方法(METHOD FORREMOVAL OF DEVICES USING A TRENCH)》，代理案号为GC 30794.0713USP1(UC 2019-398-1)；
该申请通过引用并入本文。
该申请与以下共同待决和共同转让的申请有关：
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的PCT国际专利申请号PCT/US18/31393，题为《移除基板的方法(METHODOF REMOVING A SUBSTRATE)》，代理案号为30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)，该申请根据35 U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的共同待决且共同转让的美国临时专利申请号62/502,205号的权益，其题为《移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE)》)，代理案号为30794.0653USP1(UC 2017-621-1)；
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的PCT国际专利申请号PCT/US18/51375，题为《用劈裂技术移除基板的方法(METHOD OFREMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)》，代理案号为30794.0659WOU1(UC2018-086-2)，该申请根据35 U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的共同待决且共同转让的美国临时专利申请号62/559,378号的权益，其题为《用劈裂技术移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)》)，代理案号为30794.0659USP1(UC 2018-086-1)；
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2019年4月1日提交的PCT国际专利申请号PCT/US19/25187，题为《使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法(METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USINGEPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)》，代理案号为30794.0680WOU1(UC 2018-427-2)，该申请根据35 U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和HongjianLi于2018年3月30日提交的共同待决且共同转让的美国临时专利申请号62/650,487号的权益，其题为《使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法(《METHOD OFFABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERALOVERGROWTH)》)，代理案号为30794.0680USP1(UC 2018-427-1)；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
