[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080015285.X | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113453893A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 桥本纱英;中西勇人 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00;C09J201/00;H01L21/304;H01L21/301;C09J7/38 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 保护 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、所述基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，
在65℃下保持300秒后的所述中间层的残留应力为300Pa以下。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用保护片，其中，所述基材的拉伸储能模量与所述基材厚度的乘积为3.5×104N/m以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，其中，65℃时的所述中间层的剪切储能模量为25000Pa以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，65℃时的所述中间层的损耗角正切为1.0以上。
5.一种半导体装置的制造方法，其具有：
将权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用保护片贴附于半导体晶圆的工序；以及
降低贴附有所述半导体加工用保护片的半导体晶圆的刚性的工序。
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