[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，在65℃下保持300秒后的中间层的残留应力为300Pa以下。

技术领域

本发明涉及半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法。特别涉及适合用于抑制半导体晶圆翘曲的半导体加工用保护片、以及使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。

背景技术

在各种电子设备中，大多搭载有半导体装置，所述半导体装置安装了通过将形成有电路的半导体晶圆单颗化而得到的半导体芯片。电子设备的小型化、多功能化急速进展，对半导体芯片也要求小型化、低厚度化、高密度化。为了进行芯片的小型化及低厚度化，通常在半导体晶圆的表面形成电路，然后对半导体晶圆的背面进行研磨，从而调整芯片的厚度。

在研磨半导体晶圆的背面时，为了保护晶圆表面的电路且支撑半导体晶圆，会在晶圆表面贴附被称为背磨胶带(Back grinding tape)的保护片。然而，背面研磨后的半导体晶圆非常薄，具有容易与粘着胶带一同翘曲的倾向。若半导体晶圆翘曲，则会产生半导体晶圆变得容易破损、难以运送至下一工序等问题。

例如，专利文献1中公开了一种为了抑制半导体晶圆的翘曲而对基材赋予了高应力松弛特性的表面保护片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/063827号

发明内容

本发明要解决的技术问题

在专利文献1中，为了对基材赋予高应力松弛特性，降低了基材的刚性。然而，当基材的刚性较低时，保护片整体的刚性下降，若半导体晶圆因半导体晶圆的背面研磨而变薄，则存在无法充分支撑的问题。此外，研磨后剥离胶带时，存在因基材拉伸而导致剥离不良等问题。

本发明是鉴于上述实际状况而完成的，目的在于提供一种能够抑制将半导体晶圆薄化加工之后的翘曲的半导体加工用保护片，以及使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。

解决技术问题的技术手段

本发明的方案如下：

[1]一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，

在65℃下保持300秒后的中间层的残留应力为300Pa以下。

[2]如[1]所述的半导体加工用保护片，其中，基材的拉伸储能模量与基材厚度的乘积为3.5×10⁴N/m以上。

[3]如[1]或[2]所述的半导体加工用保护片，其中，65℃时的中间层的剪切储能模量为25000Pa以下。

[4]如[1]～[3]中任一项所述的半导体加工用保护片，其中，65℃时的中间层的损耗角正切为1.0以上。

[5]一种半导体装置的制造方法，其具有：

将[1]～[4]中任一项所述的半导体加工用保护片贴附于半导体晶圆的工序；以及

降低贴附有半导体加工用保护片的半导体晶圆的刚性的工序。

发明效果

根据本发明，可提供一种能够抑制将半导体晶圆薄化加工之后的翘曲的半导体加工用保护片，以及使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。

附图说明

图1为示出本实施方案的半导体加工用保护片的一个实例的截面示意图。

图2为示出本实施方案的半导体加工用保护片被贴附于半导体晶圆的电路面的状态的截面示意图。