[发明专利]存储器装置上的错误校正

说明书

本发明描述用于存储器装置上的错误校正的方法、系统及装置。实例可包含具有包含多个存储体的存储器单元阵列的存储器裸片。所述存储器裸片可进一步包含与第一存储器单元存储体耦合的第一错误校正码(ECC)电路，其中所述第一ECC电路经配置以执行与所述第一存储器单元存储体的第一存取操作(例如，写入操作)相关联的操作。所述存储器裸片可进一步包含与所述第一存储器单元存储体耦合的第二ECC电路，其中所述第二ECC电路经配置以执行与所述第一存储体的第二存取操作(例如，读取操作)相关联的ECC操作。在一些情况中，所述第一ECC电路可位于所述阵列的覆盖区下方且所述第二ECC电路可位于所述阵列的所述覆盖区外部。

交叉参考

本专利申请案主张由波特(Porter)在2019年2月19日申请的标题为“存储器装置上的错误校正(ERROR CORRECTION ON A MEMORY DEVICE)”的第16/279,483号美国专利申请案的优先权，所述申请案被让渡给其受让人且其全文以引用的方式明确并入本文中。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两个状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两个状态。为存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各个类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。即使在不存在外部电源的情况下，非易失性存储器(例如，FeRAM)也可维持其所存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)会在与外部电源断开连接时丢失其所存储状态。FeRAM能够实现类似于易失性存储器的密度但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。

改进存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗、或降低制造成本以及其它度量。一些存储器装置可经配置以执行错误校正操作。也可期望提高存储器阵列的效率(例如，更快操作、减小裸片大小)。

附图说明

图1说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的系统的实例。

图2说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的存储器裸片的实例。

图3A及3B说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的磁滞曲线的实例。

图4说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的存储器裸片的实例。

图5说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的存储器裸片的实例。

图6说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的过程流程的实例。

图7展示根据如本文中公开的实例的支持错误校正的存储器装置的框图。

图8展示说明根据如本文中公开的实例的支持存储器装置上的错误校正的一或若干方法的流程图。

具体实施方式