[发明专利]能够防止撕裂或褶皱不良的电解铜箔、包括该电解铜箔的电极、包括该电极的二次电池及该电解铜箔的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080017027.5 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN113490770A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 金英泰;全相炫;李廷吉;金昇玟 申请(专利权)人: SK纳力世有限公司
主分类号: C25D1/04 分类号: C25D1/04;H01M4/66;H01M10/052
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔炳哲
地址: 韩国全*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 能够 防止 撕裂 褶皱 不良 电解 铜箔 包括 电极 二次 电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电解铜箔,其中,

包括铜层,并且,具有:

5%以下的宽度方向重量偏差;

25kgf/mm2至62kgf/mm2的抗拉强度;以及

3.5至66.9的相对于谷深的厚度(VDT),

所述宽度方向重量偏差由下式1计算,

所述相对于谷深的厚度(VDT)由下式2计算:

[式1]

宽度方向重量偏差(%)=(重量的标准偏差/重量的算数平均)×100

[式2]

相对于谷深的厚度(VDT)=[电解铜箔的厚度]/[粗糙度曲线的最大谷深(Rv)]。

2.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中,

所述电解铜箔的宽度方向上的相对于谷深的厚度的偏差(DVDT)为2.6μm2以下,

所述宽度方向上的相对于谷深的厚度的偏差(DVDT)由下式4计算:

[式4]

从所述电解铜箔的至少三个以上的点测量相对于谷深的厚度(VDT),所测量的相对于谷深的厚度(VDT)值的平均值为VDTaverage,所测量的相对于谷深的厚度(VDT)中具有最大值的相对于谷深的厚度(VDT)为VDTmax,具有最小值的相对于谷深的厚度(VDT)为VDTmin

3.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中,

所述电解铜箔的粗糙度曲线要素的平均宽度(RSm)为25μm至171μm。

4.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中,

所述电解铜箔的(200)面的半高宽(FWHM)的变化比率[FWHM(200)]为0.81至1.19,

所述(200)面的半高宽(FWHM)的变化比率[FWHM(200)]由下式5计算:

[式5]

[FWHM(200)]=[热处理后(200)面的半高宽]/[热处理前(200)面的半高宽]。

5.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中,

具有4μm至20μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中,

包括配置在所述铜层上的保护层。

7.根据权利要求6所述的电解铜箔,其中,

所述保护层包含铬(Cr)、硅烷化合物以及氮化合物中的至少一种。

8.一种二次电池用电极,其中,包括:

权利要求1至7项中的任一项所述的电解铜箔;以及

配置在所述电解铜箔上的活性物质层。

9.一种二次电池,其中,包括:

正极;

负极;

电解质,在所述正极和所述负极之间提供能够使锂离子移动的环境;以及

分隔膜,使所述正极和所述负极电绝缘,

所述负极由权利要求8所述的二次电池用电极构成。

10.一种电解铜箔制造方法,其中,包括:

准备电解液的步骤;以及

通过使用所述电解液进行电镀以形成铜层的步骤,

所述电解液包含:

50g/L至100g/L的铜离子;

50g/L至150g/L的硫酸;

1ppm至50ppm以内的氯(Cl);

0.25g/L以下的铅离子(Pb2+);以及

有机添加剂,

形成所述铜层的步骤包括:向所述电解液中的以彼此隔开的方式配置的电极板和旋转滚筒之间施加40A/dm2至80A/dm2的电流密度的步骤。

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