[发明专利]具有迟滞的模数转换器在审

专利信息
申请号: 202080017173.8 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN113508533A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: S·W·维克托;B·T·林奇 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12;H03K5/22
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 袁策
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 迟滞 转换器
【说明书】:

一种电路包括模数转换器(ADC)和迟滞电路(700)。ADC被配置为生成一系列数字码。迟滞电路(700)被配置为:(a)确定该系列数字码中的第一数字码表示在与前面的数字码相同方向上变化,并将第一数字码存储在寄存器(726)中;以及(b)确定该系列数字码中的第二数字码表示与前面的数字码的方向的变化,确定第二数字码与先前数字码相差小于迟滞值,并且不将第二数字码存储在寄存器(726)中。

背景技术

模数转换器(ADC)将模拟信号转换为数字码。ADC的固有行为是模数转换过程期间的最低有效位(LSB)抖动(jitter)。在可以应用平均技术的应用中,LSB抖动通常无关紧要。然而,在例如设置直流(DC)-DC转换器的占空比的控制过程中,使用ADC及其固有的LSB抖动将导致可观察到的转换器输出电压振荡。在某些应用中,平均技术没有用,因为平均过程本身引入了延迟。

发明内容

在一个示例中,一种电路包括模数转换器(ADC)和迟滞电路。ADC被配置为生成一系列数字码。迟滞电路被配置为:(a)确定该系列数字码中的第一数字码表示在与前面的数字码相同方向上变化,并将第一数字码存储在寄存器中;以及(b)确定该系列数字码中的第二数字码表示与前面的数字码的方向的变化,确定第二数字码与先前数字码相差小于迟滞值,并且不将第二数字码存储在寄存器中。

附图说明

对于各种示例的详细描述,现在将参考附图,在附图中:

图1图示了包括采用迟滞的模数转换器(ADC)的开关电压调节器(regulator)的示例。

图2图示了对ADC实施的迟滞原理。

图3示出了在图1的开关调节器中使用的粗调控制电路的示例实施方式。

图4示出了在图1的开关调节器中使用的延迟线脉冲宽度调制器(DLPWM)中使用的延迟单元的示例实施方式。

图5进一步图示了DLPWM的操作。

图6图示了用于对ADC采用迟滞的方法的示例。

图7示出了用于对ADC采用迟滞的电路的示例。

图8示出了可用于对ADC采用迟滞的方向检测电路的示例。

图9示出了可用于对ADC采用迟滞的迟滞加法器的示例。

图10示出了其中可以使用开关电压调节器的蜂窝基站的示例。

具体实施方式

所描述的示例与ADC相关,ADC包括用于确定来自ADC的输出数字码的LSB的迟滞。具有迟滞控制的ADC的一个示例使用是在开关调节器内,如下所述。

图1示出了在一个示例中的开关调节器100。示例开关调节器100包括粗调控制电路110、ADC 115、延迟线脉冲宽度调制器(DLPWM)120、晶体管驱动器130、晶体管M1和M2、电感器L1、电容器C1和误差放大器140。图1中的两个或更多个部件可以在相同的半导体衬底(相同的管芯)上制造。在一个示例中,图1中的所有部件均是在相同的半导体衬底/管芯上制造的。在其他实施方式示例中,图1中的除了电感器L1之外的所有部件均是在相同的半导体衬底上制造的。

晶体管M1在图1的示例中被示出为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS),并且晶体管M2被示出为p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)。在其他实施方式中可以使用不同类型的晶体管(例如,NMOS代替PMOS、PMOS代替NMOS、双极结型晶体管代替MOS晶体管等)。晶体管具有控制输入和一对电流端子。MOS晶体管的控制输入是栅极,并且电流端子是源极和漏极。双极结型晶体管的控制输入是基极,并且电流端子是发射极和集电极。

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