[发明专利]平台系统和光刻装置在审

专利信息
申请号: 202080017486.3 申请日: 2020-01-30
公开(公告)号: CN113490886A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: M·J·詹森;F·奥尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 赵林琳
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 平台 系统 光刻 装置
【说明书】:

发明提供一种平台系统,包括相对于基准结构可移动的平台(ST)。平台和基准结构中的一个包括反射表面(REFS)。光学位置传感器(IF1)被布置在平台和基准结构中的另一个处,并且被配置成确定反射表面相对于光学位置传感器的位置。光学形状传感器(IF2)被配置成确定反射表面的形状。平台系统还包括位置测量控制器,位置测量控制器被配置成:从反射表面相对于光学位置传感器的位置以及从由光学形状传感器确定的反射表面的形状,导出平台的平台位置。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年2月28日提交的EP申请19159972.9的优先权,该申请通过引用将其整体并入本文。

技术领域

本发明涉及平台系统和包括这种平台系统的光刻装置。

背景技术

光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻装置可以被用在集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将图案形成设备(例如,掩模)的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投影到提供在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造工艺的不断发展,电路元件的尺寸不断减小,同时每个装置的功能性元件(诸如晶体管)的数量在过去几十年中一直稳定增长,遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了与摩尔定律保持一致,半导体行业正在寻求使得能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影在衬底上,光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以在衬底上构图的特征的最小尺寸。当前使用的通常波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻装置相比,使用具有在4nm至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻装置中,可以应用可移动平台,诸如保持衬底的衬底支撑件或保持标记的掩模支撑件。这种平台的定位准确性可以转化为投影准确性,例如要被投影到衬底上的图案的重叠准确性。平台可以由例如包括一个或多个致动器的定位器定位。可以利用一个或多个位置传感器,诸如光学位置传感器来控制平台的位置。这种光学位置传感器的示例是干涉仪和编码器。光学位置传感器可以利用诸如反射镜之类的基准。例如,干涉仪可以利用在其上反射干涉仪光束的反射表面。例如,干涉仪的测量头可以被固定布置,由此使用干涉仪光束来测量到平台的反射表面的距离。作为另一个示例,编码器和/或干涉仪的测量头可以被布置在平台处。固定编码器网格可以被应用为编码器的基准。编码器网格可以形成反射表面。同样,在干涉仪的情况下,干涉仪测量头可以被布置在平台处并且可以与固定的反射表面配合以执行位置测量。

发明内容

本发明旨在使得能够进行平台的更准确定位。

根据本发明的一方面,提供了一种平台系统,包括:相对于基准结构能够移动的平台,其中平台和基准结构中的一个包括反射表面;光学位置传感器,被布置在平台和基准结构中的另一个处,并且被配置成确定反射表面相对于光学位置传感器的位置;以及光学形状传感器,被配置成确定反射表面的形状。

根据本发明的另一方面,提供了一种包括这种平台系统的光刻装置。

附图说明

现在仅通过示例的方式,参考示意性附图描述本发明的实施例,在附图中:

图1描绘光刻装置的示意性概图;

图2描绘图1的光刻装置的一部分的详细视图;

图3示意性地描绘位置控制系统;

图4A和图4B描绘根据本公开的平台系统的示意性透视图;

图5描绘根据本公开的平台系统的示意性透视图;

图6描绘根据本公开的平台系统的示意性俯视图;

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