[发明专利]清洁处理腔室的方法在审

专利信息
申请号: 202080017849.3 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN113498442A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: B·S·权;许璐;P·K·库尔施拉希萨;S·李;D·H·李;K·D·李 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/505;H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 付尉琳;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 清洁 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种清洁沉积腔室的方法,包含:

将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;

利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体;

将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;

在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质;

将所述清洁气体引入所述沉积腔室;以及

以不同蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述含氮气体包含氮气和氧气。

3.如权利要求2所述的方法,其中所述清洁气体包含氮气和氧气。

4.如权利要求3所述的方法,其中所述清洁气体包含氟气。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁气体包含三氟化氮和氧气。

6.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。

7.如权利要求1所述的方法,其中在所述含氮气体流至所述沉积腔室之后,所述清洁气体流至所述沉积腔室中。

8.一种清洁沉积腔室的方法,包含:

将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;

利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体;

将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;

在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质;

将所述清洁气体引入所述沉积腔室;以及

以不同温度移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。

9.如权利要求8所述的方法,其中使用所述含氮气体清洁所述沉积腔室的上部部分。

10.如权利要求9所述的方法,其中使用所述清洁气体清洁所述沉积腔室的下部部分。

11.如权利要求8所述的方法,其中所述含氮气体包含氮气和氧气。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述清洁气体包含氮气和氧气。

13.如权利要求12所述的方法,其中所述清洁气体包含氟气。

14.如权利要求8所述的方法,其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。

15.一种清洁沉积腔室的方法,包含:

将第一气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;

利用射频功率在所述处理区域中冲击所述第一气体的等离子体;

将第二气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;

在所述远程等离子体源中产生所述第二气体的反应物质;

将所述第二气体引入所述沉积腔室;以及

以不同温度和蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。

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