[发明专利]清洁处理腔室的方法在审
申请号: | 202080017849.3 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN113498442A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | B·S·权;许璐;P·K·库尔施拉希萨;S·李;D·H·李;K·D·李 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/505;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 付尉琳;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 处理 方法 | ||
1.一种清洁沉积腔室的方法,包含:
将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;
利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体;
将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;
在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质;
将所述清洁气体引入所述沉积腔室;以及
以不同蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述含氮气体包含氮气和氧气。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述清洁气体包含氮气和氧气。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述清洁气体包含氟气。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁气体包含三氟化氮和氧气。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。
7.如权利要求1所述的方法,其中在所述含氮气体流至所述沉积腔室之后,所述清洁气体流至所述沉积腔室中。
8.一种清洁沉积腔室的方法,包含:
将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;
利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体;
将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;
在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质;
将所述清洁气体引入所述沉积腔室;以及
以不同温度移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。
9.如权利要求8所述的方法,其中使用所述含氮气体清洁所述沉积腔室的上部部分。
10.如权利要求9所述的方法,其中使用所述清洁气体清洁所述沉积腔室的下部部分。
11.如权利要求8所述的方法,其中所述含氮气体包含氮气和氧气。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述清洁气体包含氮气和氧气。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述清洁气体包含氟气。
14.如权利要求8所述的方法,其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。
15.一种清洁沉积腔室的方法,包含:
将第一气体流至所述沉积腔室内的处理区域中;
利用射频功率在所述处理区域中冲击所述第一气体的等离子体;
将第二气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源;
在所述远程等离子体源中产生所述第二气体的反应物质;
将所述第二气体引入所述沉积腔室;以及
以不同温度和蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的