[发明专利]清洁处理腔室的方法

说明书

本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

技术领域

本文所公开的实例大致关于用于清洁半导体处理腔室的方法。

背景技术

在制作集成电路和半导体设备中，通常在处理腔室(诸如，沉积腔室，诸如等离子体强化的化学气相沉积(PECVD)腔室)中将材料沉积在基板上。沉积处理通常导致某些材料沉积在气体分配喷淋头以及壁上，以及沉积腔室的部件上。在腔室壁以及部件上沉积的材料可影响基板与基板间的沉积速率，和基板上的沉积均匀性。归因于这种不正确的沉积，除非清洁腔室，否则通常难以达成可重复性。

因此，需要一种清洁腔室的改良的方法。

发明内容

本公开的实施方式大致涉及清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

在另一实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同温度移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

在另一实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法，包括以下步骤：将第一气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击第一气体的等离子体；将第二气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生第二气体的反应物质；将第二气体引入沉积腔室；以及以不同温度和蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

附图说明

为了可详细理解本公开以上所载的特征，以上简要概述的本公开的更具体说明可通过参考实例而获得，某些实例在随附附图中示出。然而，应理解随附图式仅图示本公开的通常实施方式，且因此不应考虑为其范围的限制，因为本公开认可其他均等效果的实施方式。

图1是等离子体系统的一个实例的部分剖面视图。

图2是对在不同电极间距下的清洁速率进行比较的图表。

为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表图式中公共的相同的组件。构想到一个实施方式的组件及特征可有益地并入其他实例中而无须进一步说明。

具体实施方式

本公开大致提供用于清洁沉积腔室的方法和装置，例如在制造集成电路和半导体设备中所使用的沉积腔室。可使用本文所述的方法清洁的沉积腔室可包括可用于沉积氧化物(诸如碳掺杂的氧化硅)和其他材料的腔室。在一个实例中，在等离子体强化的化学气相沉积(PECVD)系统中利用等离子体腔室。可适于从本文所述的实施方式获益的PECVD系统的示例包括SE CVD系统、GT^TMCVD系统或CVD系统，所有这些从美国加州圣克拉拉州的应用材料公司商业上可取得。SE CVD系统(例如，200mm或300mm)具有两个隔离的处理区域，两个隔离的处理区域可用于在基板上沉积薄膜，例如导电膜、硅烷、碳掺杂的氧化硅及其他材料。尽管示例实施方式包括两个处理区域，构想到本文所述的实施方式可用于在具有单个处理区域或超过两个处理区域的系统中获益。还构想到本文所述的实施方式可用于在其他等离子体腔室(包括蚀刻腔室、离子注入腔室、等离子体处置腔室和剥离腔室等等)中获益。还进一步构想到本文所述的实施方式用于在从其他制造商可取得的等离子体处理腔室中获益。