[发明专利]半导体装置及系统

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

温度感测部，其设置于所述半导体基板的正面；

阳极焊盘和阴极焊盘，其与所述温度感测部电连接；

正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；

双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于所述阴极焊盘与所述正面电极之间；以及

输出比较二极管部，其与所述温度感测部电连接，

所述输出比较二极管部配置于所述阳极焊盘与所述阴极焊盘之间，

所述温度感测部包括温度感测二极管，且所述输出比较二极管部包括与所述温度感测二极管反向并联地连接的输出保护二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述双向二极管部在所述正面配置于所述阳极焊盘与所述阴极焊盘之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述双向二极管部包括双向连接的齐纳二极管。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述正面电极具有：

主金属部，其设置于所述正面；以及

连接部，其将所述主金属部与所述双向二极管部连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备：

晶体管部，其电连接于所述正面电极；以及

栅极浇道，其设置于所述半导体基板的正面，且电连接于所述晶体管部的栅电极，

所述连接部横穿所述栅极浇道的上方。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备电流感测部，

所述正面电极包括电连接于所述电流感测部的电流感测焊盘。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备设置于所述连接部的上方的保护膜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜含有聚酰亚胺。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜具有在所述半导体基板的正面沿预先确定的方向延伸的延伸部，

所述双向二极管部配置于比所述延伸部靠所述半导体基板的正面的外侧的位置。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述双向二极管部具有第一二极管部以及与所述第一二极管部反向串联地连接的第二二极管部，

所述第一二极管部和所述第二二极管部分别包括并联连接的多个二极管。

11.一种系统，其特征在于，具备：

权利要求1至权利要求10中任一项所述的半导体装置；以及

劣化检测电路，其具有开关部和检测部，

所述开关部电连接于所述半导体装置的所述温度感测部和所述输出比较二极管部，且针对所述温度感测部和所述输出比较二极管部的每一个切换通电方向来流通正向电流，

所述检测部测定在向所述温度感测部输入了正向电流的情况下的输出电压与在向所述输出比较二极管部输入了正向电流的情况下的输出电压之间的电压差值。

12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，

所述检测部将所述电压差值与预先确定的阈值进行比较，在所述电压差值比所述阈值大的情况下，发送提示更换所述温度感测二极管的通知。