[发明专利]半导体装置及系统

说明书

提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

以往，已知有在MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectiveTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等与温度检测用二极管之间设置有保护二极管的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-203446号公报

发明内容

技术问题

对温度检测用二极管提供保护以免受到静电放电的影响。

技术方案

为了解决上述问题，在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部包括温度感测二极管，且输出比较二极管部包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。

双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。

双向二极管部可以包括双向连接的齐纳二极管。

正面电极可以具有：主金属部，其设置于正面；以及连接部，其将主金属部与双向二极管部连接。

半导体装置可以具备：晶体管部；以及栅极浇道，其设置于半导体基板的正面，且电连接于晶体管部的栅电极。连接部可以横穿栅极浇道的上方。

半导体装置可以还具备电流感测部。正面电极可以包括电连接于电流感测部的电流感测焊盘。

半导体装置可以具备设置于连接部的上方的保护膜。

保护膜可以含有聚酰亚胺。

保护膜可以具有在半导体基板的正面沿预先确定的方向延伸的延伸部。双向二极管部可以配置于比延伸部靠半导体基板的正面的外侧的位置。

双向二极管部可以具有第一二极管部以及与第一二极管部反向串联地连接的第二二极管部。第一二极管部和第二二极管部分别可以包括并联连接的多个二极管。

在本发明的第二方式中，提供一种系统，该系统具备：半导体装置；以及劣化检测电路，其具有开关部和检测部，所述开关部电连接于半导体装置的温度感测部和输出比较二极管部，且针对温度感测部和输出比较二极管部的每一个切换通电方向来流通正向电流，所述检测部测定在向温度感测部输入了正向电流的情况下的输出电压与在向输出比较二极管部输入了正向电流的情况下的输出电压之间的电压差值。

检测部可以将电压差值与预先确定的阈值进行比较，在电压差值比阈值大的情况下，发送提示更换温度感测二极管的通知。

在本发明的第三方式中，提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极布线和阴极布线，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极布线与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阴极布线与正面电极之间。