[发明专利]接合体、电路基板及半导体装置

权利要求书

1.一种接合体，其具备：

基板；

金属构件；及

接合层，其为设置在所述基板与所述金属构件之间的接合层，包含含碳的第一粒子、含金属的第一区域、和含钛且设置在所述第一粒子与所述第一区域之间的第二区域，所述第二区域中的钛的浓度高于所述第一区域中的钛的浓度。

2.根据权利要求1所述的接合体，其中，所述第二区域中的钛的浓度高于所述第一粒子中的钛的浓度。

3.根据权利要求1或2所述的接合体，其中，所述第二区域中的钛的含有率为50质量％以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体，其中，

所述第二区域设置在所述第一粒子的周围，

所述第二区域包含多个第二粒子，

所述多个第二粒子的至少1个包含钛。

5.根据权利要求4所述的接合体，其中，所述多个第二粒子的1个的大小小于所述第一粒子的大小。

6.根据权利要求4或5所述的接合体，其中，所述多个第二粒子的所述至少1个包含钛及氮。

7.根据权利要求4或5所述的接合体，其中，所述多个第二粒子的所述至少1个包含钛与选自氮及氧中的至少1个的晶体。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的接合体，其中，所述第二区域的厚度为2nm～1μm。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的接合体，其中，设有多个包含所述第一粒子及所述第二区域的粉体，

多个所述粉体的至少2个相互间分离。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的接合体，其中，

所述第一粒子包含第一晶体层，

所述第一晶体层包含碳。

11.根据权利要求10所述的接合体，其中，

所述第一晶体层沿着第一方向设置，

所述第一方向上的所述第一粒子的长度比交叉于所述第一方向的第二方向上的所述第一粒子的长度更长。

12.根据权利要求11所述的接合体，其中，所述第一方向上的所述第一粒子的所述长度为所述第二方向上的所述第一粒子的所述长度的1.2倍～40倍。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的接合体，其中，所述第一区域包含含银的第一部分区域和含铜的第二部分区域。

14.根据权利要求13所述的接合体，其中，所述第二区域与所述第一部分区域相接触。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的接合体，其中，所述第一粒子中设有包含所述金属的第三区域。

16.根据权利要求1～9中任一项所述的接合体，其中，

所述第一粒子包含含碳的第一层和含碳的第二层，

在所述第一层与所述第二层之间设有包含所述金属的第三区域。

17.根据权利要求16所述的接合体，其中，所述第三区域包含至少1个与所述基板所含元素相同种类的元素。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的接合体，其中，

所述接合层进一步包含第四区域，

所述第四区域包含钛及氮，

所述第四区域位于所述基板与所述第一区域之间。

19.根据权利要求1～18中任一项所述的接合体，其中，

所述基板包含硅及氮，

所述金属构件包含铜。