[发明专利]接合体、电路基板及半导体装置

说明书

本发明的实施方式的接合体包含基板、金属构件及接合层。所述接合层设置在所述基板与所述金属构件之间。所述接合层包含含碳的第一粒子、含金属的第一区域和含钛的第二区域。所述第二区域设置在所述第一粒子与所述第一区域之间。所述第二区域中的钛的浓度高于所述第一区域中的钛的浓度。

技术领域

本发明的实施方式涉及接合体、电路基板及半导体装置。

背景技术

存在经由接合层接合有基板和金属构件的接合体。期待接合体的接合强度高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开WO2011/034075公报

专利文献2:国际公开WO2018/021472公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的实施方式提供能够提高接合的强度的接合体、电路基板及半导体装置。

用于解决技术问题的手段

实施方式的接合体包含基板、金属构件及接合层。所述接合层设置在所述基板与所述金属构件之间。所述接合层包含含碳的第一粒子、含金属的第一区域和含钛的第二区域。所述第二区域设置在所述第一粒子与所述第一区域之间。所述第二区域中的钛的浓度高于所述第一区域中的钛的浓度。

附图说明

图1为表示实施方式的接合体的示意截面图。

图2为放大图1所示接合体的一部分的示意截面图。

图3为表示实施方式的接合体的一部分的示意截面图。

图4为放大图3所示接合体的一部分的示意截面图。

图5为放大图3所示接合体的一部分的示意截面图。

图6为表示实施方式的接合体的一部分的示意截面图。

图7为表示实施方式的接合体的一部分的示意截面图。

图8为表示实施方式的接合体的一部分的示意截面图。

图9为表示实施方式的接合体的示意截面图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本发明的各实施方式。

附图是示意性的或者概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等并非必须与现实情况相同。即便是表示相同部分时，也有根据附图、尺寸或比率相互间不同地表示的情况。

在本申请说明书和各图中，与已经说明过的相同的要素带有同一符号，详细的说明适当地省略。

图1为表示实施方式的接合体的示意截面图。

如图1所示，实施方式的接合体100包含基板1、金属构件2及接合层3。接合层3设置在基板1与金属构件2之间。

基板1包含选自硅(Si)及铝(Al)中的至少1个和选自氮(N)、氧(O)及碳(C)中的至少1个。基板1还可以进一步包含锆(Zr)及氧。基板1例如是陶瓷基板。作为陶瓷基板，可以使用氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板、含氧化锆的氧化铝基板(阿卢西尔高硅耐热铝合金基板)或碳化硅基板。

基板1的三点弯曲强度优选为500MPa以上。基板1的三点弯曲强度为500MPa以上时，可以将基板1的厚度减薄至0.4mm以下。作为三点弯曲强度为500MPa以上的陶瓷基板，可举出氮化硅基板、经高强度化的氮化铝基板、氧化铝基板、含氧化锆的氧化铝基板、碳化硅基板等。