[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物

权利要求书

1.一种氮化硅膜蚀刻组合物，由80至90重量％的无机酸、0.005至5重量％的环氧系硅化合物、0.01至1重量％的氟化合物及余量的水组成，其中，所述环氧系硅化合物选自由γ-环氧丙氧基甲基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三丙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)丙基三甲氧基硅烷或它们中的两种以上的混合物所组成的组。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，

所述无机酸选自由硫酸、硝酸、磷酸、或它们中的两种以上的混合物所组成的组。

3.根据权利要求2所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，所述无机酸是磷酸和硫酸。

4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，

所述氟化合物选自由氟化氢、氟化铵、氟化氢铵或它们中的两种以上的混合物所组成的组。

5.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，

在120℃至190℃的温度下，所述环氧系硅化合物阻碍对氧化硅膜的蚀刻。

6.根据权利要求5所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，

在160℃下，所述组合物对氮化硅膜的蚀刻速度相比于对氧化硅膜的蚀刻速度为200倍以上。

7.根据权利要求6所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其特征在于，

对所述氮化硅膜的蚀刻速度相比于对氧化硅膜的蚀刻速度为1000倍以上。