[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物

说明书

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成，本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻，并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。

技术领域

本发明涉及一种对于氧化硅膜选择性地蚀刻氮化硅膜的组合物。

背景技术

氧化硅膜和氮化硅膜在半导体制造工艺中用作代表性的绝缘膜，它们可以各自单独使用或氧化硅膜和氮化硅膜交替层叠使用。

此外，所述氧化硅膜和氮化硅膜还用作形成诸如金属配线的导电图案的硬掩模。

通常，在半导体湿式工艺中为了去除氮化硅膜而使用磷酸，但是为了防止对于氧化硅膜的选择比不高和选择比发生变化，需要持续地供应纯水。

然而，在这种工艺中存在只要纯水的量稍微变化，都会产生氮化硅膜去除不良的问题。此外，由于磷酸本身是强酸，因此具有腐蚀性，从而使用起来麻烦。

作为现有技术，已知的有在磷酸混合氢氟酸或硝酸等制造的蚀刻组合物，但这反而会导致降低氮化硅膜和氧化硅膜的选择比的负面结果，尤其是，在磷酸混合氢氟酸时，具有随着工艺批次数的增加而氮化硅膜和氧化硅膜的选择比大幅变化的缺点。

这种现象是由于氢氟酸在工艺中蒸发，从而氢氟酸的浓度发生变化。

因此，需要一种能够相对于氧化硅膜选择性地蚀刻氮化硅膜，且根据工艺批次(batch)的裕度稳定的蚀刻组合物。

发明内容

要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种在最小化氧化硅膜的蚀刻的同时能够蚀刻氮化硅膜的蚀刻组合物，即对于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜的蚀刻组合物。

此外，本发明的另一目的在于，提供一种不让发生氧化硅膜表面的颗粒和氮化硅膜的去除不良等问题的蚀刻组合物。

解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明的蚀刻组合物包括无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水。