[发明专利]包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

第一半导体材料，其具有第一侧及相对第二侧；

第二半导体材料，其直接邻近于所述第一半导体材料的所述第一侧且具有不同于所述第一半导体材料的成分；

第三半导体材料，其直接邻近于所述第一半导体材料的所述第二侧且具有不同于所述第一半导体材料的成分；及

氢，其在所述第一、第二及第三半导体材料内扩散；响应于扩散在其中的所述氢，与所述第一半导体材料相比，所述第二及第三半导体材料具有大幅增加的导电性。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中具有扩散在其中的所述氢的所述第二及第三半导体材料的所述大幅增加的导电性比具有扩散在其中的所述氢的所述第一半导体材料的所述导电性大至少约10倍。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中具有扩散在其中的所述氢的所述第二及第三半导体材料的所述大幅增加的导电性比具有扩散在其中的所述氢的所述第一半导体材料的所述导电性大至少约100倍。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中具有扩散在其中的所述氢的所述第二及第三半导体材料的所述大幅增加的导电性比具有扩散在其中的所述氢的所述第一半导体材料的所述导电性大至少约1000倍。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二及第三半导体材料是彼此相同的成分。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二及第三半导体材料是相对于彼此不同的成分。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一、第二及第三半导体材料各自包括至少一种金属结合氧、硫、硒及碲中的一或多者。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述至少一种金属为铝、镓、铟、铊、锡、镉及锌中的一或多者。

9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一、第二及第三半导体材料各自包括来自周期表的第13族的至少一种元素结合来自周期表的第16族的至少一种元素。

10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一、第二及第三半导体材料各自包括选自由镓、铟及其混合物组成的群组的至少一种元素结合选自由氧、硫、硒、碲及其混合物组成的群组的至少一种元素。

11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一半导体材料包括GaO，且其中所述第二及第三半导体材料各自包括InGaZnO；其中化学式指示主要组分而不是特定化学计量比。

12.一种集成组合件，其包括：

第一半导体材料，其在第二半导体材料的两个区之间；所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分；

氢，其在所述第一半导体材料及所述第二半导体材料内扩散；所述第二半导体材料的所述导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构；及

晶体管栅极，其邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其包括在所述第一及第二半导体材料下方并支撑所述第一及第二半导体材料的基底；且其中所述源极/漏极区相对于彼此水平安置。

14.根据权利要求12所述的集成组合件，其包括在所述第一及第二半导体材料下方并支撑所述第一及第二半导体材料的基底；且其中所述源极/漏极区相对于彼此垂直安置。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述晶体管栅极与所述沟道区的至少一部分垂直重叠且不与所述源极/漏极区中的任一者垂直重叠。