[发明专利]包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法

说明书

一些实施例包含一种集成组合件，其具有在第二半导体材料的两个区之间的第一半导体材料。所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分。氢在所述第一及第二半导体材料内扩散。所述第二半导体材料的导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加，以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构。晶体管栅极邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

相关专利数据

本专利主张2019年3月11日申请的序列号为16/298,947的美国专利申请案的优先权及权益，所述申请案的揭示内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法。

背景技术

半导体材料可并入集成组合件中。例如，半导体材料可用于形成晶体管的沟道区及源极/漏极区。晶体管可用作存储器阵列或其它应用中的存取装置。

希望开发适于在集成组合件中利用的半导体材料的改进布置，并且开发利用半导体材料的改进布置的集成组件。

附图说明

图1到4是在用于制造实例存储器单元的实例方法的实例工艺阶段处的实例集成组合件的区的示意性横截面侧视图。图4A是沿图4的A-A线的示意性横截面视图。

图5是包括实例存储器阵列的一部分的实例集成组合件的区的示意性横截面侧视图。

图6是实例存储器阵列的区的示意图。

图7及8是在用于用氢处理多个组件的实例方法的实例工艺阶段处的实例集成组合件的区的示意性侧视图。

图9及10是说明实例存储器单元的实例集成组合件的区的示意性横截面侧视图。

图11是包括堆叠层的实例组合件的区的示意性横截面侧视图。

图12是包括实例晶体管的实例集成组合件的区的示意性横截面侧视图。

具体实施方式

一些实施例包含在晶体管装置的沟道区位置中具有不同于在晶体管装置的源极/漏极区位置中不同的半导体材料成分的组合件。源极/漏极区位置的导电性由于氢在其中扩散而大幅度增加(例如，增加至少10倍)，而沟道区位置的导电性由于氢在其中扩散而增加很小(如果有的话)。一些实施例包含形成集成组合件的方法。参考图1到12论述实例实施例。

参考图1，展示处在形成实例结构(例如，实例晶体管，且在一些实施例中为实例存储器单元)的实例方法的实例工艺阶段处的集成组合件(构造)10的区。组合件10包含第一半导体材料12、第二半导体材料14及第三半导体材料16。在一些实施例中，第一半导体材料可被认为具有第一侧11及相对第二侧13；并且第二半导体材料14可被认为直接抵靠第一侧11，而第三半导体材料16直接抵靠第二侧13。

第二及第三半导体材料14及16在成分上与半导体材料12不同；并且可为彼此相同的成分或在成分上相对于彼此不同。

在一些实施例中，材料12、14及16可被认为形成半导体材料的堆叠18。半导体材料14及16可在成分上彼此相同，且两者都可被称为“第二半导体材料”。因此，堆叠18可被认为包括作为第一区19的第一半导体材料12；并且此第一区可被认为在第二半导体材料的两个区20之间(其中材料14及16两者都被称为“第二半导体材料”)。

半导体材料12、14及16可包括任何合适成分；并且在一些实施例中可包括至少一种金属(例如，铝、镓、铟、铊、锡、镉、锌等中的一或多者)结合与氧、硫、硒及碲中的一或多者、基本上由其组成或由其组成。