[发明专利]薄膜内包含金属或金属氧化物的硅金属氧化物封装膜及其制备方法

权利要求书

1.一种硅金属氧化物封装膜，其特征在于，由下述化学式1表示：

化学式1：Si_xM_yO_z，

在上述化学式1中，M为金属，0.1x1，0y2，1≤z≤3，1x+y3，1.5x+y+z6。

2.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，上述封装膜为用于显示器有机发光二极管的封装膜。

3.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，在上述化学式1中，M为选自由元素周期表中的IB族至VB族以及IIIA族至IVA族组成的组中的一种以上的金属。

4.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，在硅金属氧化物封装膜中，相对于硅金属氧化物的总含量，金属原子的含量为1原子百分比至50原子百分比以内。

5.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，硅金属氧化物封装膜的透湿度为1.0×10^-2g/m²-day至1.0×10^-6g/m²-day。

6.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，硅金属氧化物封装膜的应力为-700Mpa至+700Mpa，折射率为1.0至10。

7.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，硅金属氧化物封装膜能够通过选自含氟化合物、NF₃以及BCl₃中的一种以上的蚀刻气体来干式蚀刻。

8.根据权利要求1所述的硅金属氧化物封装膜，其特征在于，硅金属氧化物封装膜的厚度为至

9.一种硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，使用原子层沉积法制备，上述硅金属氧化物封装膜由化学式1表示：

化学式1：Si_xM_yO_z，

在上述化学式1中，M为金属，0.1x1，0y2，1≤z≤3，1x+y3，1.5x+y+z6。

10.根据权利要求9所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，上述由化学式1表示的硅金属氧化物通过使金属前体及硅前体同时进入反应器内来制备。

11.根据权利要求10所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，上述硅前体为包含Si-N键的有机氨基硅烷化合物。

12.根据权利要求10所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，上述金属前体为包含选自元素周期表的IB族至VB族以及IIIA族至IVA族中的一种以上的金属元素作为中心金属的有机金属化合物。

13.根据权利要求9所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，包括：

使金属前体及硅前体同时进入反应器内来与基板接触的步骤；以及

使反应气体与基板接触来在基板上制备硅金属氧化物封装膜的步骤。

14.根据权利要求9所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，上述原子层沉积法为等离子体增强原子层沉积法。

15.根据权利要求13所述的硅金属氧化物封装膜的制备方法，其特征在于，反应气体为选自O₂、N₂O、NO₂、H₂O、H₂O₂以及O₃中的一种或两种以上。