[发明专利]薄膜内包含金属或金属氧化物的硅金属氧化物封装膜及其制备方法

说明书

本发明涉及薄膜内包含金属或金属氧化物的硅氧化物封装膜及其制备方法，本发明的硅金属氧化物封装膜的薄膜生长率高，水分及氧气的渗透率低，虽然厚度很薄，但密封效果非常优秀，而且能够调节应力强度及折射率，因此可以有效制备应用于柔性显示器的高品质的硅金属氧化物封装膜。

技术领域

本发明涉及薄膜内包含金属或金属氧化物的硅氧化物封装膜及其制备方法，更详细地，涉及利用硅前体与金属前体形成的硅金属氧化物封装膜及其制备方法。

背景技术

通常，有机半导体器件由于对水分或氧气脆弱，易于被空气中的水分或氧气氧化而使电气特性劣化。因此，器件的封装工序的核心是与水分和氧气的隔绝，可以说是决定面板寿命的重要技术。上述封装技术可以大体分为利用玻璃/金属容器的方法(Can，glassencapsulation)、薄膜封装方法(TFE，thin film encapsulation)以及同时利用薄膜和玻璃容器的混合封装方法(hybridencapsulation)这三种，各种方法可以说明为如下方式：利用具有气体隔绝性的金属或具有玻璃材质的盖和吸气剂(getter)的容器的方式；在器件上层使用有机或无机多层薄膜来实现阻隔特性(barrier property)的称为端面密封(facesealing)法的薄膜封装方式；以及将塑料阻隔膜(barrier film)用作盖并在其与钝化(passivation)薄膜之间配置粘合层的混合方式。

现在广泛使用的利用玻璃/金属容器的方法(Can，glass encap)通过在由基板与盖构成的2个玻璃(glass)之间放置有机半导体器件后使用激光熔化玻璃粉末来密封，或者使用紫外线(UV)粘合剂来密封的技术来显出最好的封装特性，但却具有因器件内的惰性气体导致导热特性不佳、因大面积加工玻璃而增加成本的缺点，在应用于需要柔性的柔性面板方面也有问题。

为了弥补上述玻璃封装技术(Can，glass encapsulation)的缺点，将对氧气或水分具有很高的阻隔性的Al₂O₃之类的无机层和聚合物的有机层用作薄膜交替层叠在整体有机半导体器件上，这种形成多层封装膜的薄膜封装方法(TFE，thin film encapsulation)正如火如荼地研究着。

在最近的研究中虽开发出了具有高的膜密度、优秀的渗透性的薄膜封装技术，但多层封装膜的有机层的成分大部分为紫外线硬化物质，由于利用紫外线硬化的有机封装膜利用溶液工序，因此具有因通过溶剂的特性降低而引起电气特性及柔性降低并缩短寿命的缺点。并且，虽然由无机物层形成的封装膜因厚度厚而可以确保良好的特性，但具有柔性降低的缺点。

为了解决上述问题，需要开发即使厚度很薄也能够防止大气中的水分或氧气渗透的密封特性优秀并且具有很高的柔性的封装膜的制备方法。

发明内容

技术问题

为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于，提供掺杂有金属及金属氧化物的硅金属氧化物封装膜。

并且，本发明的目的在于，提供本发明的硅金属氧化物封装膜的制备方法。

技术方案

为了解决上述问题，本发明提供由下述化学式1表示的金属氧化物封装膜。

化学式1：Si_xM_yO_z

(在上述化学式1中，M为金属，0.1＜x＜1，0＜y＜2，1≤z≤3，1x+y3，1.5＜x+y+z＜6)。

本发明一实施例的封装膜可以为用于显示器有机发光二极管(OLED)的封装膜。

在本发明一实施例的封装膜中，上述化学式1中的M可以为选自由元素周期表中的IB族至VB族以及IIIA族至IVA族组成的组中的一种以上的金属。