[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理容器；

绝缘性的分隔板，其将所述处理容器内的空间分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室，在所述等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在所述等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到所述反应室的多个贯通孔；

与所述第一电极相对地配置在所述等离子体生成室的第二电极；和

电功率供给部，在所述等离子体生成室生成等离子体时，所述电功率供给部对所述第一电极和所述第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部对所述第一电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率，并且对所述第二电极供给单一频率的高频电功率。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部对所述第二电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率和单一频率的高频电功率，并且将所述第一电极接地或者连接到LC电路。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部对所述第二电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率，并且将所述第二电极接地或者连接到LC电路。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部对所述第二电极供给单一频率的高频电功率，并且对所述第一电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部将所述第二电极接地或者连接到LC电路，并且对所述第一电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率和单一频率的高频电功率。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电功率供给部将所述第二电极接地或者连接到LC电路，并且对所述第一电极供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括气体供给部，其将要成膜的原料气体供给到所述反应室，使所述原料气体的分子吸附于所述被处理体的表面后，将与所述原料气体的分子反应的反应气体供给到所述等离子体生成室，

与从所述气体供给部的反应气体的供给同步地，所述电功率供给部对所述第一电极和所述第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率，来生成所述反应气体的等离子体。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体供给部将所述原料气体供给到所述分隔板，

所述分隔板在所述反应室侧的面形成有释放从所述气体供给部供给的所述原料气体的多个气体释放口。

10.如权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括抑制部，其设置在所述反应室，能够抑制离子经由多个所述贯通孔从所述等离子体生成室侵入所述反应室。

11.一种等离子体处理方法，其特征在于：

对等离子体生成室供给要等离子体化的气体，其中，所述等离子体生成室是由形成有多个贯通孔的绝缘性的分隔板将处理容器内的空间分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室而得到的，

对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率，来使所述气体等离子体化，其中，所述第一电极设置于所述分隔板的所述等离子体生成室侧的面，所述第二电极与所述第一电极相对地配置在所述等离子体生成室。