[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

专利文献1公开了将原料气体等离子体化，将基片暴露于该等离子体以在该基片上形成薄膜的等离子体处理装置。原料气体的等离子体化通过施加高频电功率来进行，该高频电功率是对将1kHz以下的第一脉冲调制和具有比该调制短的周期的第二脉冲调制叠加并且进行该脉冲调制的高频波形叠加高次谐波而得到的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-160045号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够调整对被处理体照射的离子的密度的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的等离子体处理装置包括处理容器、分隔板、第二电极和电功率供给部。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

发明效果

依照本发明，能够调整对被处理体照射的离子的密度。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的概要截面图。

图2是用于说明实施方式的分隔板与第二板电极的位置关系的一个例子的放大截面图。

图3是表示实施方式的DED处理导致的图案的变化的一个例子的图。

图4是表示实施方式的DED处理导致的图案的变化的另一个例子的图。

图5是表示实施方式的成膜处理的一个例子的流程图。

图6是表示实施方式的等离子体处理装置的另一个例子的概要截面图。

具体实施方式

以下，参照附图，对公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法的实施方式详细地进行说明。此外，公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法并不由以下的实施方式限定。

作为对半导体晶片(以下也称为“晶片”)进行各向同性的成膜的技术，已知等离子体ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)。

但是，等离子体ALD有时产生因处理条件和装置导致的膜厚、膜质的各向异性。例如，通过使用CCP(电容耦合型等离子体)的等离子体处理装置的等离子体ALD，对形成有图案的晶片进行了成膜的情况下，有时由于在等离子体中存在的离子的直进性，对成膜于图案的上表面和底面的膜造成侧壁的相对的薄膜化、膜质降低。

所以，为了通过等离子体ALD实现各向同性成膜，优选对晶片照射的离子的密度低。另一方面，对于等离子体处理装置，有时要求对离子进行活用的处理。因此，对于等离子体处理装置，人们希望能够调整对晶片照射的离子的密度。