[发明专利]用于基板处理腔室的吸附工艺和系统

权利要求书

1.一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法，包括：

将吸附电压施加到基座，其中基板设置在所述基座的支撑表面上；

从所述施加的电压斜变所述吸附电压；

在斜变所述吸附电压时检测阻抗偏移；

确定发生所述阻抗偏移时的对应吸附电压；以及

基于所述阻抗偏移和所述对应吸附电压来确定精确吸附电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述阻抗偏移是将射频能量供应到所述基板处理腔室的射频能量发生器的阻抗偏移。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述检测所述阻抗偏移包括测量所述阻抗偏移，并且所述方法进一步包括：在沉积工艺期间施加所述精确吸附电压。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述吸附电压施加到所述基座包括：将所述吸附电压斜变上升，直到发生所述阻抗偏移。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述精确吸附电压是将所述基板吸附到所述基座的所述支撑表面的最小电压值，所述精确吸附电压减少所述基板的弯曲，并且所述方法进一步包括生成等离子体。

6.如权利要求1所述的方法，其中对一个或多个额外基板重复以下操作：所述将所述吸附电压施加到所述基座、所述检测所述阻抗偏移、以及所述确定所述精确吸附电压。

7.一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法，包括：

使用预选值来将吸附电压施加到基座，其中基板设置在所述基座的支撑表面上；

检测阻抗偏移；

基于所述阻抗偏移来确定精确吸附电压；以及

使用所述精确吸附电压来调整所述施加的吸附电压。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述阻抗偏移是将射频能量供应到所述基板处理腔室的射频能量发生器的阻抗偏移。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述检测所述阻抗偏移包括：测量所述阻抗偏移。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包括进行沉积工艺。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述使用所述预选值来将所述吸附电压施加到所述基座包括：将所述吸附电压朝向所述预选值斜变上升，直到发生所述阻抗偏移。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述精确吸附电压是将所述基板吸附到所述基座的所述支撑表面的最小电压值，所述精确吸附电压减少所述基板的弯曲，并且所述方法进一步包括生成等离子体。

13.如权利要求7所述的方法，其中对一个或多个额外基板重复以下操作：所述将所述吸附电压施加到所述基座、所述检测所述阻抗偏移、以及所述确定所述精确吸附电压。

14.一种用于基板处理腔室系统的控制器，包括：

处理器；以及

一组计算机指令，所述一组计算机指令在被执行时指示所述处理器进行以下操作：

使直流电电压发生器将吸附电压施加到基座，

使阻抗检测器检测射频能量发生器的阻抗偏移，以及

基于所述阻抗偏移来确定精确吸附电压。

15.如权利要求14所述的控制器，其中所述一组计算机指令在被执行时指示所述处理器将所述精确吸附电压存储在存储器中。