[发明专利]用于基板处理腔室的吸附工艺和系统

说明书

本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。

背景技术

技术领域

本公开的各方面总体上涉及用于操作基板处理腔室的方法和系统，包括吸附基板的方法。

相关技术说明

在基板的处理期间，有时将基板吸附到基板处理腔室内的基座。例如，当基板弯曲时，可能在处理期间将基板吸附到基座。然而，由于基座特性的变化和/或基板特性的变化，要确定在处理期间应施加到基座的吸附电压是困难、昂贵且耗时的。如果施加的吸附电压太低，则在基板处理期间可能发生电弧。如果施加的吸附电压太高，则基板可能还会遭受背侧损坏，从而导致缺陷和基板处理操作的良率降低。

因此，需要一种改进的吸附基板的方法，所述方法减少或消除背侧损坏和电弧，并且以具有成本效益的方式改善良率。

发明内容

本公开的实施方式总体上涉及用于操作基板处理腔室的方法和系统，包括吸附基板的方法。

在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变(ramp)吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；以及确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压。所述方法还包括：基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。

在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：使用预选值来将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：检测阻抗偏移；基于阻抗偏移来确定精确吸附电压；以及使用精确吸附电压来调整施加的吸附电压。

在一个实施方式中，用于基板处理腔室系统的控制器包括处理器。控制器包括一组计算机指令，所述一组计算机指令在被执行时指示处理器，以使直流电电压发生器将吸附电压施加到基座。所述一组计算机指令在被执行时使阻抗检测器检测射频能量发生器的阻抗偏移，并且基于阻抗偏移来确定精确吸附电压。

附图说明

为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施方式来获得本公开的上文简要概述的更具体描述，所述实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出了本公开的普通实施方式，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施方式。

图1是根据一个实施方式的基板处理腔室系统的局部示意性横截面图。

图2是根据一个实施方式的在基板处理腔室中吸附基板的方法的示意性图示。

图3是根据一个实施方式的示出阻抗偏移的图像的图示。

为了促进理解，在可能的地方已使用相同的附图标记来表示图中共有的相同元件。可预期的是，在一个实施方式中公开的元件可在没有具体记载的情况下有益地用于其他实施方式。

具体实施方式

本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附基板的方法和系统。图1示出了根据一种实施方式的基板处理腔室系统101的局部示意性横截面图。基板处理腔室系统101包括腔室100，腔室100具有设置在其中的基座138。腔室100可以是例如化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体增强CVD(PECVD)腔室或物理气相沉积(PVD)腔室。腔室100具有腔室主体102和腔室盖104。腔室主体102在其中包括内部容积106和泵送路径108。内部容积106是由腔室主体102和腔室盖104限定的空间。泵送路径108是在腔室主体102中形成的耦合到在泵送板114中形成的泵送容积112的路径。泵送路径108促进从内部容积106去除气体。